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[交流]
请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用，谢谢！
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请问磁控溅射时，气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么？ 还有一个问题是：功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件？是Ar+离子的速度？还是Ar+离子的数量？ 谢谢大家！ |
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4楼2012-05-04 08:52:55
★ ★ ★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-06-30 09:19:05
meteorabob: 金币+2, 您的回答很有帮助！我说的是Ar的气压，谢谢！ 2012-07-02 08:52:21
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-06-30 09:19:05
meteorabob: 金币+2, 您的回答很有帮助！我说的是Ar的气压，谢谢！ 2012-07-02 08:52:21
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不知道你问的是base pressure 还是溅射过程通Ar时保持的压力，前面当然越低越好，有氧气或氮气，薄膜的纯度会下降，Ar的压力，太高，溅射太快，靶材损耗大，低了可能起不了辉光，膜长得慢。 功率大小跟速度有关系，功率大,Ar+的速度快，沉积速度快，但可能会造成后期长上的膜被撞击下来，厚度增长缓慢，甚至减小 [ Last edited by shitou982 on 2012-6-29 at 19:59 ] |
13楼2012-06-29 19:57:09
2楼2012-05-02 18:03:45
3楼2012-05-02 18:30:58
5楼2012-05-04 23:05:59
★ ★ ★ ★ ★ ★
meteorabob: 金币+5, 好，谢谢啦！您讲得很详细 2012-05-09 13:15:25
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-06-30 09:18:43
meteorabob: 金币+5, 好，谢谢啦！您讲得很详细 2012-05-09 13:15:25
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-06-30 09:18:43
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为了保护分子泵，一般工作气压是要小10Pa的。只要真空腔内有其它物质肯定有微量的掺杂，这是可以忽略不计的。工作气压的大小对沉积速率是有一定影响的，有一个最大值，你可以根据你的材料和你实验的其它条件测出这个最优值。一般金属靶材比较容易起辉，在1Pa左右就可以，陶瓷靶材一般在5到7Pa，当然也要根据实际情况，等靶材起辉稳定后再将工作气压调到你所需要的工作气压，开始制备薄膜，一般是在0.5Pa。你要了解详细的内容，你可以找一本薄膜物理与技术方面的书看看，那上面比我讲得详细。 |
7楼2012-05-05 09:22:43
8楼2012-05-05 09:52:47
★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
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本帖内容被屏蔽 |
9楼2012-06-28 14:52:19
10楼2012-06-28 17:05:21
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本帖内容被屏蔽 |
11楼2012-06-29 10:43:06
12楼2012-06-29 16:12:54
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本帖内容被屏蔽 |
14楼2012-06-30 08:19:33
15楼2012-06-30 08:34:48
16楼2012-07-02 08:49:40
xsz201317楼2012-07-11 15:06:37
18楼2013-04-11 08:55:33
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2012-05-04 23:40
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meteorabob(金币+1): 谢谢参与
