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qwcmos

铜虫 (小有名气)


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9楼: Originally posted by 海上柳 at 2013-05-09 16:36:07
十分感谢!...

“绝缘靶材不能用直流”  这也不是绝对的,只能说是使用DC溅射绝缘靶材会更容易造成靶材中毒。

另外,使用RF做ZnO和DC做ZnO是有区别的,不仅仅是溅射速率的问题,薄膜的沉积相貌,生长方式和致密度也会有区别的,这就需要你自己做测试寻找区别了。e.g. AFM,SEM

还有,使用RF做ZnO和DC做Zn+O是完全不用的,不能靠感觉。首先,膜厚方面,这就需要你自己测量(使用台阶仪或SEM测量膜厚并计算沉积速率)。成膜方面,不同Ar/O2比例制备的薄膜也不一样。还有一点就是,如果O2少了,就会做成缺氧状态的ZnO,这要做TEM分析的。

最后就是,【还有一个问题 我所要镀的膜需要进行掺杂,掺杂源也是另一种金属 不过需要掺杂的量很少,这样的话 我应该选择直流溅射Zn 射频溅射那种金属呢?还是直流溅射那种金属 射频溅射Zn呢?】------你这个说了这么多,我都没看明白,不就是微量掺杂。使用In胶把掺杂的金属片粘到Zn target上不就好了吗(一定要粘到跑道上哈),RF还是DC,看你心情了。至于掺杂含量,呵呵,沉成膜后EPMA检测吧,少了就多粘点~~~~~~~~实验吗,就是这样的,勤劳就有收获。

[ Last edited by qwcmos on 2013-5-14 at 10:42 ]
10楼2013-05-14 10:32:27
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)


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用射频的话,沉积速率会较低
而且,两者溅出来的包膜的成分会有差别
2楼2013-04-18 10:16:02
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HHBWF

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3楼2013-04-18 10:21:39
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)


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3楼: Originally posted by HHBWF at 2013-04-18 11:21:39
请问一下 我所用的就是单质的金属靶材 这样溅射出来的成分也有差别吗?...

要是合金把的话,有区别

单质靶没大差别吧

你的好像是反应溅射?
应该差别不大
4楼2013-04-18 10:44:49
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HHBWF

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5楼2013-04-18 10:57:46
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)


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5楼: Originally posted by HHBWF at 2013-04-18 11:57:46
对 是反应溅射 溅射出来的金属与通入的氧气反应,还有想请教一下,我之前是用ZnO陶瓷靶做的,用的射频 一般是加150W的功率 如果我改用金属Zn靶,用直流做的话 功率大概应该在什么范围呢?能给我些建议不...

这个你自己试吧
我没做过,不知道。

要使用Zn靶的话,还是RF的好,因为形成ZnO后会敷在靶表面,DC就不行了

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6楼2013-04-18 16:40:37
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海上柳

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6楼: Originally posted by wbcui at 2013-04-18 16:40:37
这个你自己试吧
我没做过,不知道。

要使用Zn靶的话,还是RF的好,因为形成ZnO后会敷在靶表面,DC就不行了...

我是新手,请教是不是说用ZnO的陶瓷靶的话,采用直流溅射电源是没办法进行溅射的吗?
谢谢!
7楼2013-05-09 15:06:20
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
7楼: Originally posted by 海上柳 at 2013-05-09 16:06:20
我是新手,请教是不是说用ZnO的陶瓷靶的话,采用直流溅射电源是没办法进行溅射的吗?
谢谢!...

大哥,绝缘靶材不能用直流
只能用RF

所以,如你所说的那样,就没法溅射了,或者能溅射,但出来的成分会变。
8楼2013-05-09 16:33:03
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海上柳

金虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by wbcui at 2013-05-09 16:33:03
大哥,绝缘靶材不能用直流
只能用RF

所以,如你所说的那样,就没法溅射了,或者能溅射,但出来的成分会变。...

十分感谢!
9楼2013-05-09 16:36:07
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