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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 请教一个磁控溅射制备薄膜的问题，用相同功率的直流和射频溅射金属靶效果有什么不同？
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1楼 2013-04-18 09:43:35
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qwcmos

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9楼: Originally posted by 海上柳 at 2013-05-09 16:36:07
十分感谢！...

“绝缘靶材不能用直流”  这也不是绝对的，只能说是使用DC溅射绝缘靶材会更容易造成靶材中毒。

另外，使用RF做ZnO和DC做ZnO是有区别的，不仅仅是溅射速率的问题，薄膜的沉积相貌，生长方式和致密度也会有区别的，这就需要你自己做测试寻找区别了。e.g. AFM，SEM

还有，使用RF做ZnO和DC做Zn+O是完全不用的，不能靠感觉。首先，膜厚方面，这就需要你自己测量（使用台阶仪或SEM测量膜厚并计算沉积速率）。成膜方面，不同Ar/O2比例制备的薄膜也不一样。还有一点就是，如果O2少了，就会做成缺氧状态的ZnO，这要做TEM分析的。

最后就是，【还有一个问题 我所要镀的膜需要进行掺杂，掺杂源也是另一种金属 不过需要掺杂的量很少，这样的话 我应该选择直流溅射Zn 射频溅射那种金属呢？还是直流溅射那种金属 射频溅射Zn呢？】------你这个说了这么多，我都没看明白，不就是微量掺杂。使用In胶把掺杂的金属片粘到Zn target上不就好了吗（一定要粘到跑道上哈），RF还是DC，看你心情了。至于掺杂含量，呵呵，沉成膜后EPMA检测吧，少了就多粘点~~~~~~~~实验吗，就是这样的，勤劳就有收获。

[ Last edited by qwcmos on 2013-5-14 at 10:42 ]
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10楼2013-05-14 10:32:27
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wbcui

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用射频的话，沉积速率会较低
而且，两者溅出来的包膜的成分会有差别
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2楼2013-04-18 10:16:02
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3楼2013-04-18 10:21:39
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3楼: Originally posted by HHBWF at 2013-04-18 11:21:39
请问一下 我所用的就是单质的金属靶材 这样溅射出来的成分也有差别吗？...

要是合金把的话，有区别

单质靶没大差别吧

你的好像是反应溅射？
应该差别不大
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4楼2013-04-18 10:44:49
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5楼2013-04-18 10:57:46
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5楼: Originally posted by HHBWF at 2013-04-18 11:57:46
对 是反应溅射 溅射出来的金属与通入的氧气反应，还有想请教一下，我之前是用ZnO陶瓷靶做的，用的射频 一般是加150W的功率 如果我改用金属Zn靶，用直流做的话 功率大概应该在什么范围呢？能给我些建议不...

这个你自己试吧
我没做过，不知道。

要使用Zn靶的话，还是RF的好，因为形成ZnO后会敷在靶表面，DC就不行了
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海上柳
6楼2013-04-18 16:40:37
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6楼: Originally posted by wbcui at 2013-04-18 16:40:37
这个你自己试吧
我没做过，不知道。

要使用Zn靶的话，还是RF的好，因为形成ZnO后会敷在靶表面，DC就不行了...

我是新手，请教是不是说用ZnO的陶瓷靶的话，采用直流溅射电源是没办法进行溅射的吗？
谢谢！
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7楼2013-05-09 15:06:20
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wbcui

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7楼: Originally posted by 海上柳 at 2013-05-09 16:06:20
我是新手，请教是不是说用ZnO的陶瓷靶的话，采用直流溅射电源是没办法进行溅射的吗？
谢谢！...

大哥，绝缘靶材不能用直流
只能用RF

所以，如你所说的那样，就没法溅射了，或者能溅射，但出来的成分会变。
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8楼2013-05-09 16:33:03
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海上柳

金虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by wbcui at 2013-05-09 16:33:03
大哥，绝缘靶材不能用直流
只能用RF

所以，如你所说的那样，就没法溅射了，或者能溅射，但出来的成分会变。...

十分感谢！
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9楼2013-05-09 16:36:07
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