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meteorabob

铜虫 (正式写手)


[交流] 请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用,谢谢!

请问磁控溅射时,气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么?
还有一个问题是:功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件?是Ar+离子的速度?还是Ar+离子的数量?
谢谢大家!
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xsz2013

铜虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
送红花一朵
引用回帖:
17楼: Originally posted by philowjz at 2012-07-11 15:06:37
溅射时的气压要合适才行,太小了辉光不稳定,溅射速率快,薄膜质量差,太大了之后能量散射又比较大,一般我采用1-4Pa,功率对播磨溅射速率和薄膜晶化质量影响也很大,功率小了晶化差一些

为什么你认为溅射气压太小了辉光不稳定,溅射速率快呢?气压小,溅射速率大?这种推理是基于什么呢,求指教
21楼2015-04-16 15:26:02
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)


★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-05 07:43:35
功率影响的是Ar+离子的速度
2楼2012-05-02 18:03:45
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userhung

禁虫 (文学泰斗)



meteorabob(金币+1): 谢谢参与
不是Ar+离子的数量
3楼2012-05-02 18:30:58
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nanodot

金虫 (小有名气)


★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
meteorabob: 金币+5 2012-05-04 23:16:40
蒋青松: 金币+2, 鼓励交流 2012-05-05 07:43:04
气压越低,真空质量越好,膜的质量高,杂质少。在一定的功率范围内,功率越高氩气电离度越高,氩离子的密度增加,应该是氩离子数量增加,提高溅射速率和溅射离子的能量,使成膜的附着力好,膜层致密。
4楼2012-05-04 08:52:55
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