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请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用,谢谢!
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meteorabob
铜虫
(正式写手)
应助: 23
(小学生)
金币: 15
帖子: 605
在线: 377.5小时
虫号: 1063234
[交流]
请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用,谢谢!
请问磁控溅射时,气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么?
还有一个问题是:功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件?是Ar+离子的速度?还是Ar+离子的数量?
谢谢大家!
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1楼
2012-05-02 10:29:56
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philowjz
铜虫
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虫号: 1038736
★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
溅射时的气压要合适才行,太小了辉光不稳定,溅射速率快,薄膜质量差,太大了之后能量散射又比较大,一般我采用1-4Pa,功率对播磨溅射速率和薄膜晶化质量影响也很大,功率小了晶化差一些
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xsz2013
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17楼
2012-07-11 15:06:37
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minglight9
铁杆木虫
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在线: 318.2小时
虫号: 910530
★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流
2012-05-05 07:43:35
功率影响的是Ar+离子的速度
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2楼
2012-05-02 18:03:45
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userhung
禁虫
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★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
不是Ar+离子的数量
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3楼
2012-05-02 18:30:58
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nanodot
金虫
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在线: 103.5小时
虫号: 1544578
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
meteorabob: 金币+5
2012-05-04 23:16:40
蒋青松: 金币+2, 鼓励交流
2012-05-05 07:43:04
气压越低,真空质量越好,膜的质量高,杂质少。在一定的功率范围内,功率越高氩气电离度越高,氩离子的密度增加,应该是氩离子数量增加,提高溅射速率和溅射离子的能量,使成膜的附着力好,膜层致密。
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4楼
2012-05-04 08:52:55
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