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请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用,谢谢!
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meteorabob
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(小学生)
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帖子: 605
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虫号: 1063234
[交流]
请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用,谢谢!
请问磁控溅射时,气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么?
还有一个问题是:功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件?是Ar+离子的速度?还是Ar+离子的数量?
谢谢大家!
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1楼
2012-05-02 10:29:56
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shitou982
金虫
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★ ★ ★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
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2012-06-30 09:19:05
meteorabob: 金币+2, 您的回答很有帮助!我说的是Ar的气压,谢谢!
2012-07-02 08:52:21
不知道你问的是base pressure 还是溅射过程通Ar时保持的压力,前面当然越低越好,有氧气或氮气,薄膜的纯度会下降,Ar的压力,太高,溅射太快,靶材损耗大,低了可能起不了辉光,膜长得慢。
功率大小跟速度有关系,功率大,Ar+的速度快,沉积速度快,但可能会造成后期长上的膜被撞击下来,厚度增长缓慢,甚至减小
[
Last edited by shitou982 on 2012-6-29 at 19:59
]
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13楼
2012-06-29 19:57:09
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minglight9
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★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
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2012-05-05 07:43:35
功率影响的是Ar+离子的速度
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2012-05-02 18:03:45
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userhung
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★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
不是Ar+离子的数量
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3楼
2012-05-02 18:30:58
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nanodot
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meteorabob(金币+1): 谢谢参与
meteorabob: 金币+5
2012-05-04 23:16:40
蒋青松: 金币+2, 鼓励交流
2012-05-05 07:43:04
气压越低,真空质量越好,膜的质量高,杂质少。在一定的功率范围内,功率越高氩气电离度越高,氩离子的密度增加,应该是氩离子数量增加,提高溅射速率和溅射离子的能量,使成膜的附着力好,膜层致密。
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4楼
2012-05-04 08:52:55
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