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meteorabob

铜虫 (正式写手)

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[交流] 请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用，谢谢！

请问磁控溅射时，气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么？
还有一个问题是：功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件？是Ar+离子的速度？还是Ar+离子的数量？
谢谢大家！

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1楼 2012-05-02 10:29:56

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shitou982

金虫 (正式写手)

应助: 2 (幼儿园)
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虫号: 964847

★ ★ ★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-06-30 09:19:05
meteorabob: 金币+2, 您的回答很有帮助！我说的是Ar的气压，谢谢！ 2012-07-02 08:52:21

不知道你问的是base pressure 还是溅射过程通Ar时保持的压力，前面当然越低越好，有氧气或氮气，薄膜的纯度会下降，Ar的压力，太高，溅射太快，靶材损耗大，低了可能起不了辉光，膜长得慢。
功率大小跟速度有关系，功率大,Ar+的速度快，沉积速度快，但可能会造成后期长上的膜被撞击下来，厚度增长缓慢，甚至减小

[ Last edited by shitou982 on 2012-6-29 at 19:59 ]