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meteorabob

铜虫 (正式写手)

应助: 23 (小学生)
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虫号: 1063234

[交流] 请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用，谢谢！

请问磁控溅射时，气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么？
还有一个问题是：功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件？是Ar+离子的速度？还是Ar+离子的数量？
谢谢大家！

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1楼2012-05-02 10:29:56

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xaifei

金虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 1390.8
帖子: 95
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虫号: 1448266

★
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引用回帖:

7楼: Originally posted by nanodot at 2012-05-05 09:22:43
为了保护分子泵，一般工作气压是要小10Pa的。只要真空腔内有其它物质肯定有微量的掺杂，这是可以忽略不计的。工作气压的大小对沉积速率是有一定影响的，有一个最大值，你可以根据你的材料和你实验的其它条件测出这 ...

根据你说的意思可能是指真空室里面的气体分压，举个例子，比如我用磁控溅射渡CrN，当腔体里的Ar：N2比偏大时，那么电离之后分子碰撞的自由程变大，这样导致溅射出来电离原子的能量损失就更大，从而薄膜的质量偏低，还有你说的功率大会导致离子的数量增加，因为功率大靶材的溅射会增加，离子数会增加的，不知道我的回答你是否满意，谢谢！

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