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meteorabob

铜虫 (正式写手)


[交流] 请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用,谢谢!

请问磁控溅射时,气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么?
还有一个问题是:功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件?是Ar+离子的速度?还是Ar+离子的数量?
谢谢大家!
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南宫若萱涟漪

金虫 (小有名气)


★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
18楼: Originally posted by xaifei at 2013-04-11 08:55:33
根据你说的意思可能是指真空室里面的气体分压,举个例子,比如我用磁控溅射渡CrN,当腔体里的Ar:N2比偏大时,那么电离之后分子碰撞的自由程变大,这样导致溅射出来电离原子的能量损失就更大,从而薄膜的质量偏低, ...

可是想要得到的薄膜的比例就是N含量少一点,你说Ar:N2比偏大导致薄膜的质量偏低,那这该怎么办啊?
19楼2014-09-12 09:30:15
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minglight9

铁杆木虫 (著名写手)


★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-05 07:43:35
功率影响的是Ar+离子的速度
2楼2012-05-02 18:03:45
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userhung

禁虫 (文学泰斗)


★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
不是Ar+离子的数量
3楼2012-05-02 18:30:58
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nanodot

金虫 (小有名气)


★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
meteorabob(金币+1): 谢谢参与
meteorabob: 金币+5 2012-05-04 23:16:40
蒋青松: 金币+2, 鼓励交流 2012-05-05 07:43:04
气压越低,真空质量越好,膜的质量高,杂质少。在一定的功率范围内,功率越高氩气电离度越高,氩离子的密度增加,应该是氩离子数量增加,提高溅射速率和溅射离子的能量,使成膜的附着力好,膜层致密。
4楼2012-05-04 08:52:55
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