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meteorabob

铜虫 (正式写手)

应助: 23 (小学生)
金币: 15
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虫号: 1063234

[交流] 请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用，谢谢！

请问磁控溅射时，气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么？
还有一个问题是：功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件？是Ar+离子的速度？还是Ar+离子的数量？
谢谢大家！

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1楼2012-05-02 10:29:56

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南宫若萱涟漪

金虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 739.5
帖子: 256
在线: 71.5小时
虫号: 1982126

★
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引用回帖:

18楼: Originally posted by xaifei at 2013-04-11 08:55:33
根据你说的意思可能是指真空室里面的气体分压，举个例子，比如我用磁控溅射渡CrN，当腔体里的Ar：N2比偏大时，那么电离之后分子碰撞的自由程变大，这样导致溅射出来电离原子的能量损失就更大，从而薄膜的质量偏低， ...

可是想要得到的薄膜的比例就是N含量少一点，你说Ar：N2比偏大导致薄膜的质量偏低，那这该怎么办啊？

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