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meteorabob

铜虫 (正式写手)

应助: 23 (小学生)
金币: 15
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在线: 377.5小时
虫号: 1063234

[交流] 请教磁控溅射的气压和功率对薄膜质量的作用，谢谢！

请问磁控溅射时，气压和功率的大小与生长的薄膜质量的关系是什么？
还有一个问题是：功率大小对应磁控溅射中的哪一个条件？是Ar+离子的速度？还是Ar+离子的数量？
谢谢大家！

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1楼 2012-05-02 10:29:56

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nanodot

金虫 (小有名气)

应助: 7 (幼儿园)
金币: 694.2
帖子: 267
在线: 103.5小时
虫号: 1544578

★ ★ ★ ★ ★ ★
meteorabob: 金币+5, 好，谢谢啦！您讲得很详细 2012-05-09 13:15:25
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-06-30 09:18:43

引用回帖:

4楼: Originally posted by nanodot at 2012-05-04 08:52:55:
气压越低，真空质量越好，膜的质量高，杂质少。在一定的功率范围内，功率越高氩气电离度越高，氩离子的密度增加，应该是氩离子数量增加，提高溅射速率和溅射离子的能量，使成膜的附着力好，膜层致密。

为了保护分子泵，一般工作气压是要小10Pa的。只要真空腔内有其它物质肯定有微量的掺杂，这是可以忽略不计的。工作气压的大小对沉积速率是有一定影响的，有一个最大值，你可以根据你的材料和你实验的其它条件测出这个最优值。一般金属靶材比较容易起辉，在1Pa左右就可以，陶瓷靶材一般在5到7Pa，当然也要根据实际情况，等靶材起辉稳定后再将工作气压调到你所需要的工作气压，开始制备薄膜，一般是在0.5Pa。你要了解详细的内容，你可以找一本薄膜物理与技术方面的书看看，那上面比我讲得详细。