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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 紫外光刻厚胶，用于掩蔽
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真空涨落

木虫 (小有名气)

[求助] 紫外光刻厚胶，用于掩蔽

工艺需要4微米左右的厚胶就好了，图形是3-4微米间隔。我光刻的成了碗型。使用胶i7010正胶（好像是AZ的）
有什么好方法可以使侧壁陡直？包括前烘，曝光，显影，后烘等等，甚至浸泡二甲苯。。。
谢谢各位大神啦

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物含妙理总堪寻
1楼 2012-11-30 07:50:27
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真空涨落

木虫 (小有名气)
顶一下，怎么没人回复。。。
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物含妙理总堪寻
2楼2012-12-01 21:33:27
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真空涨落

木虫 (小有名气)
内容已删除
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物含妙理总堪寻
3楼2012-12-03 12:54:59
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
真空涨落: 金币+10, 谢谢，每次都是您帮我。 2012-12-05 07:32:43
为什么不用hard mask来加一层掩蔽，这样不就可以用比较薄的胶来做工艺了啊。比如你长一层金属或者是SiO，然后再用高分辨率的光刻胶，比如我们的i1000，然后吧SiO窗口打开，然后再做注入。打开窗口你可以用RIE，相对比较陡直。这样的话就不用扣光刻工艺了，高分辨率胶得到的垂直结果肯定比厚胶要好很多啊。
i7010是稻化学的，以前是shipley。
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4楼2012-12-04 14:44:19
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
真空涨落: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢，我会试试 2012-12-05 07:32:18
考虑延长曝光时间或者延长显影时间
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5楼2012-12-04 23:22:10
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真空涨落

木虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-04 14:44:19
为什么不用hard mask来加一层掩蔽，这样不就可以用比较薄的胶来做工艺了啊。比如你长一层金属或者是SiO，然后再用高分辨率的光刻胶，比如我们的i1000，然后吧SiO窗口打开，然后再做注入。打开窗口你可以用RIE，相对 ...

我们之前是用RIE和ICP SiO2的，可是多工序不说，关键是也不陡直，所以放弃了那个，专门用胶掩蔽的。
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物含妙理总堪寻
6楼2012-12-05 07:34:51
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by 真空涨落 at 2012-12-05 07:34:51
我们之前是用RIE和ICP SiO2的，可是多工序不说，关键是也不陡直，所以放弃了那个，专门用胶掩蔽的。...

ICP SiO2都不陡直？！！你之前的光刻还是用的这个胶？如果还是用的这个胶，那就不是ICP的问题，而是胶的问题。我建议你用分辨率好一些的胶来做hard mask的图形转移。
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7楼2012-12-05 14:36:59
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真空涨落

木虫 (小有名气)
被遗忘啦？我的金币。。。
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物含妙理总堪寻
8楼2013-05-10 15:33:17
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fafa2013

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
真空涨落: 金币+25, ★★★很有帮助, 很久没人回帖啦~我都快遗忘了~多谢你啦哈 2013-05-10 15:50:05
我记得有人说增加软烘时间可以改善，但在我做的实验中没有体现，你可以尝试；
对光刻胶最重要的是曝光剂量和显影时间，你可以针对这两点进行试验
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9楼2013-05-10 15:46:52
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xuanyaliudon

新虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
10楼2013-05-14 10:08:06
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