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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 紫外光刻厚胶，用于掩蔽
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真空涨落

木虫 (小有名气)

[求助] 紫外光刻厚胶，用于掩蔽

工艺需要4微米左右的厚胶就好了，图形是3-4微米间隔。我光刻的成了碗型。使用胶i7010正胶（好像是AZ的）
有什么好方法可以使侧壁陡直？包括前烘，曝光，显影，后烘等等，甚至浸泡二甲苯。。。
谢谢各位大神啦

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物含妙理总堪寻
1楼 2012-11-30 07:50:27
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真空涨落

木虫 (小有名气)
顶一下，怎么没人回复。。。
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物含妙理总堪寻
2楼2012-12-01 21:33:27
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真空涨落

木虫 (小有名气)
内容已删除
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物含妙理总堪寻
3楼2012-12-03 12:54:59
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真空涨落

木虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2012-12-04 14:44:19
为什么不用hard mask来加一层掩蔽，这样不就可以用比较薄的胶来做工艺了啊。比如你长一层金属或者是SiO，然后再用高分辨率的光刻胶，比如我们的i1000，然后吧SiO窗口打开，然后再做注入。打开窗口你可以用RIE，相对 ...

我们之前是用RIE和ICP SiO2的，可是多工序不说，关键是也不陡直，所以放弃了那个，专门用胶掩蔽的。
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物含妙理总堪寻
6楼2012-12-05 07:34:51
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真空涨落

木虫 (小有名气)
被遗忘啦？我的金币。。。
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物含妙理总堪寻
8楼2013-05-10 15:33:17
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