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如何得到大厚度均匀性好的光刻胶掩膜
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thermoelectric
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如何得到大厚度均匀性好的光刻胶掩膜
现在在做深硅刻蚀,但是设备的选择比相对较小,所以想加大胶的厚度,4-5微米,请问该怎么选择胶和对应的旋涂工艺才能保证胶的均匀性。先不用考虑胶分辨率的问题。
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2013-07-22 18:19:41
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【答案】应助回帖
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感谢参与,应助指数 +1
thermoelectric: 金币+5,
★★★
很有帮助
2013-07-23 09:00:13
有专门的厚胶用来做深硅刻蚀的。常用的像4620等。
厚胶的旋涂,主要是注意热板温度不要高,否则容易裂或发生褶皱。
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2013-07-22 20:42:06
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Originally posted by
yswyx
at 2013-07-22 20:42:06
有专门的厚胶用来做深硅刻蚀的。常用的像4620等。
厚胶的旋涂,主要是注意热板温度不要高,否则容易裂或发生褶皱。
经验上热板温度要控制在多少,对转速有什么要求。4620相对抗刻点,SU8是不是更适合厚胶。
下面也是小木虫上搜到的:
负性光刻胶用的最多的是SU-8胶。SU-8胶是一种较新的的基于环氧树脂的化学增幅型负性近紫外光刻胶,具有良好的光敏性和高深宽比,适合于MEMS或MOEMS、UV-LIGA和其它超厚膜应用。它的优点有:一次旋涂可形成数百微米厚的胶层;可得到垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;交联以后具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性、热稳定性和电绝缘性。但SU-8胶难以去除。
谢谢。
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2013-07-22 21:51:23
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yswyx
at 2013-07-22 20:42:06
有专门的厚胶用来做深硅刻蚀的。常用的像4620等。
厚胶的旋涂,主要是注意热板温度不要高,否则容易裂或发生褶皱。
滴胶和喷胶哪种上胶方式更好
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4楼
2013-07-22 21:53:29
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at 2013-07-22 21:51:23
经验上热板温度要控制在多少,对转速有什么要求。4620相对抗刻点,SU8是不是更适合厚胶。
下面也是小木虫上搜到的:
负性光刻胶用的最多的是SU-8胶。SU-8胶是一种较新的的基于环氧树脂的化学增幅型负性近紫外光刻 ...
4620前烘的热板温度从90度到120度都可以,只是低温的时间长,高温时间短。这还和厚度有很大关系。像你合格5um的厚度,110度90秒可能比较合适。
抗刻蚀性,SU8确实好,但是没有意义,因为去不掉。除非你要把SU8彻底刻光。4620的选择比已经可以达到1:20了,所以不用担心。
4620的毛病是对环境要求高,垂直度不好控制。如果说对垂直度要求高,可以考虑SU8,但是SU8很可能成为你去胶的噩梦。
买光刻胶的话可以问“静静一yi”
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5楼
2013-07-23 14:43:16
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滴胶和喷胶哪种上胶方式更好...
毫无疑问,spin coating能得到最好的均匀性。
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6楼
2013-07-23 14:43:35
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请问4620深硅刻蚀达到深宽比20:1时,PR还完整存在么?!
我想用1500作掩膜,可到一定程度PR被刻蚀完,样品整体减薄,但现在单层1500厚度不够,请问具体的双层旋涂增厚工艺是怎样的呢?!求大神解答···
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7楼
2013-10-13 09:17:18
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