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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 如何得到大厚度均匀性好的光刻胶掩膜
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thermoelectric

木虫 (小有名气)

[求助] 如何得到大厚度均匀性好的光刻胶掩膜

现在在做深硅刻蚀，但是设备的选择比相对较小，所以想加大胶的厚度，4-5微米，请问该怎么选择胶和对应的旋涂工艺才能保证胶的均匀性。先不用考虑胶分辨率的问题。
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1楼 2013-07-22 18:19:41
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
thermoelectric: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-07-23 09:00:13
有专门的厚胶用来做深硅刻蚀的。常用的像4620等。
厚胶的旋涂，主要是注意热板温度不要高，否则容易裂或发生褶皱。
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2楼2013-07-22 20:42:06
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thermoelectric

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-07-22 20:42:06
有专门的厚胶用来做深硅刻蚀的。常用的像4620等。
厚胶的旋涂，主要是注意热板温度不要高，否则容易裂或发生褶皱。

经验上热板温度要控制在多少，对转速有什么要求。4620相对抗刻点，SU8是不是更适合厚胶。
下面也是小木虫上搜到的：
负性光刻胶用的最多的是SU-8胶。SU-8胶是一种较新的的基于环氧树脂的化学增幅型负性近紫外光刻胶，具有良好的光敏性和高深宽比，适合于MEMS或MOEMS、UV-LIGA和其它超厚膜应用。它的优点有：一次旋涂可形成数百微米厚的胶层；可得到垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；交联以后具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性、热稳定性和电绝缘性。但SU-8胶难以去除。
谢谢。
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3楼2013-07-22 21:51:23
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thermoelectric

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-07-22 20:42:06
有专门的厚胶用来做深硅刻蚀的。常用的像4620等。
厚胶的旋涂，主要是注意热板温度不要高，否则容易裂或发生褶皱。

滴胶和喷胶哪种上胶方式更好
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4楼2013-07-22 21:53:29
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by thermoelectric at 2013-07-22 21:51:23
经验上热板温度要控制在多少，对转速有什么要求。4620相对抗刻点，SU8是不是更适合厚胶。
下面也是小木虫上搜到的：
负性光刻胶用的最多的是SU-8胶。SU-8胶是一种较新的的基于环氧树脂的化学增幅型负性近紫外光刻 ...

4620前烘的热板温度从90度到120度都可以，只是低温的时间长，高温时间短。这还和厚度有很大关系。像你合格5um的厚度，110度90秒可能比较合适。

抗刻蚀性，SU8确实好，但是没有意义，因为去不掉。除非你要把SU8彻底刻光。4620的选择比已经可以达到1：20了，所以不用担心。

4620的毛病是对环境要求高，垂直度不好控制。如果说对垂直度要求高，可以考虑SU8，但是SU8很可能成为你去胶的噩梦。

买光刻胶的话可以问“静静一yi”
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5楼2013-07-23 14:43:16
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by thermoelectric at 2013-07-22 21:53:29
滴胶和喷胶哪种上胶方式更好...

毫无疑问，spin coating能得到最好的均匀性。
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6楼2013-07-23 14:43:35
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captaincao

新虫 (初入文坛)
请问4620深硅刻蚀达到深宽比20:1时，PR还完整存在么？！
我想用1500作掩膜，可到一定程度PR被刻蚀完，样品整体减薄，但现在单层1500厚度不够，请问具体的双层旋涂增厚工艺是怎样的呢？！求大神解答···
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7楼2013-10-13 09:17:18
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