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TAODEE

新虫 (初入文坛)

[求助] ICP刻蚀光刻负胶SU-8 已有1人参与

请问有没有同学用ICP刻蚀常见光刻胶su8的结构层？我用压印的方法做的结构，然后用ICP氧等离子体刻蚀残余的su8胶层。
但是发现刻蚀到一定程度后发现，残余层刻蚀不动了，结构别的地方刻蚀正常。请教大神如何解决，万分感谢。
（残余层距离结构顶端大约13微米左右）
附图刻蚀前后截面SEM照片。

ICP刻蚀光刻负胶SU-8
刻蚀后刻不动.jpg


ICP刻蚀光刻负胶SU-8-1
刻蚀前 .jpg
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1楼 2014-09-29 18:29:36
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
SU8是不适合做刻蚀的，刻蚀的高温会让SU8碳化。所以刻蚀的时候必须用友背冷的设备做，才能给wafer和胶充分的降温。
SU8可以用来压印，但是并不是最好的选择。像你现在压的结果，可以用Tg比较低的厚光刻胶同样实现。
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2楼2014-09-30 15:46:25
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TAODEE

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-09-30 15:46:25
SU8是不适合做刻蚀的，刻蚀的高温会让SU8碳化。所以刻蚀的时候必须用友背冷的设备做，才能给wafer和胶充分的降温。
SU8可以用来压印，但是并不是最好的选择。像你现在压的结果，可以用Tg比较低的厚光刻胶同样实现。

请问可以用什么厚胶做压印并且Tg也比较低，PMMA？我现在用的ICP设备是用氦气冷却的，如果现阶段还要刻蚀su8，除了要背冷以外，还可以做些什么来改善着个状况。谢谢。
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3楼2014-10-08 21:55:03
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by TAODEE at 2014-10-08 21:55:03
请问可以用什么厚胶做压印并且Tg也比较低，PMMA？我现在用的ICP设备是用氦气冷却的，如果现阶段还要刻蚀su8，除了要背冷以外，还可以做些什么来改善着个状况。谢谢。...

这个厚度的话可以用4620.
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4楼2014-10-09 21:43:12
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TAODEE

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2014-10-09 21:43:12
这个厚度的话可以用4620....

是AZ4620吗?您应该有过压印su8的经验吧，防粘方面有什么要注意的地方吗（我用的是硅模具）？常用的防粘试剂貌似效果不好，我正考虑重做防粘或换防粘试剂。谢谢
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5楼2014-10-10 10:56:37
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TAODEE

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2014-10-09 21:43:12
这个厚度的话可以用4620....

我之前防粘是先氧等离子体处理模具，然后再全氟辛基三氯硅形成自组装单模来防粘的。
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6楼2014-10-10 13:57:12
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