| 查看: 1841 | 回复: 5 | |||
[求助]
ICP刻蚀光刻负胶SU-8 已有1人参与
|
|
请问有没有同学用ICP刻蚀常见光刻胶su8的结构层？我用压印的方法做的结构，然后用ICP氧等离子体刻蚀残余的su8胶层。 但是发现刻蚀到一定程度后发现，残余层刻蚀不动了，结构别的地方刻蚀正常。请教大神如何解决，万分感谢。 （残余层距离结构顶端大约13微米左右） 附图刻蚀前后截面SEM照片。  刻蚀后刻不动.jpg  刻蚀前 .jpg |
回复此楼» 猜你喜欢
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有57人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 激光干涉光刻应该选取什么样的光刻胶
已经有7人回复
- 【求助】各位大神，有谁知道怎样从硅片上揭下光刻好的SU-8胶么？
已经有17人回复
- 请教：哪位知道SU-8光刻胶用什么溶液溶解后可以和甲苯溶液混合？
已经有3人回复
- SU-8负性光刻 溶剂
已经有12人回复
- 求助SU-8光刻胶网购地址、电话
已经有6人回复
- 关于光刻剥离的难题
已经有7人回复
- 可以用负胶做掩模刻蚀氮化硅吗？
已经有7人回复
- 【求助】关于光刻匀胶烤胶设备及光刻胶的选择
已经有4人回复
- 【求助】以打印的胶片做曝光用的掩膜时会出现很多问题，该如何解决呢？
已经有4人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
2楼2014-09-30 15:46:25
3楼2014-10-08 21:55:03
yswyx
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
4楼2014-10-09 21:43:12
5楼2014-10-10 10:56:37
6楼2014-10-10 13:57:12
20