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ICP刻蚀光刻负胶SU-8
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TAODEE
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ICP刻蚀光刻负胶SU-8
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请问有没有同学用ICP刻蚀常见光刻胶su8的结构层?我用压印的方法做的结构,然后用ICP氧等离子体刻蚀残余的su8胶层。
但是发现刻蚀到一定程度后发现,残余层刻蚀不动了,结构别的地方刻蚀正常。请教大神如何解决,万分感谢。
(残余层距离结构顶端大约13微米左右)
附图刻蚀前后截面SEM照片。
刻蚀后刻不动.jpg
刻蚀前 .jpg
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1楼
2014-09-29 18:29:36
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4楼
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Originally posted by
yswyx
at 2014-10-09 21:43:12
这个厚度的话可以用4620....
是AZ4620吗?您应该有过压印su8的经验吧,防粘方面有什么要注意的地方吗(我用的是硅模具)?常用的防粘试剂貌似效果不好,我正考虑重做防粘或换防粘试剂。谢谢
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5楼
2014-10-10 10:56:37
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SU8是不适合做刻蚀的,刻蚀的高温会让SU8碳化。所以刻蚀的时候必须用友背冷的设备做,才能给wafer和胶充分的降温。
SU8可以用来压印,但是并不是最好的选择。像你现在压的结果,可以用Tg比较低的厚光刻胶同样实现。
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2楼
2014-09-30 15:46:25
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2楼
:
Originally posted by
yswyx
at 2014-09-30 15:46:25
SU8是不适合做刻蚀的,刻蚀的高温会让SU8碳化。所以刻蚀的时候必须用友背冷的设备做,才能给wafer和胶充分的降温。
SU8可以用来压印,但是并不是最好的选择。像你现在压的结果,可以用Tg比较低的厚光刻胶同样实现。
请问可以用什么厚胶做压印并且Tg也比较低,PMMA?我现在用的ICP设备是用氦气冷却的,如果现阶段还要刻蚀su8,除了要背冷以外,还可以做些什么来改善着个状况。谢谢。
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3楼
2014-10-08 21:55:03
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3楼
:
Originally posted by
TAODEE
at 2014-10-08 21:55:03
请问可以用什么厚胶做压印并且Tg也比较低,PMMA?我现在用的ICP设备是用氦气冷却的,如果现阶段还要刻蚀su8,除了要背冷以外,还可以做些什么来改善着个状况。谢谢。...
这个厚度的话可以用4620.
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4楼
2014-10-09 21:43:12
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