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ICP刻蚀光刻负胶SU-8 已有1人参与
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请问有没有同学用ICP刻蚀常见光刻胶su8的结构层？我用压印的方法做的结构，然后用ICP氧等离子体刻蚀残余的su8胶层。 但是发现刻蚀到一定程度后发现，残余层刻蚀不动了，结构别的地方刻蚀正常。请教大神如何解决，万分感谢。 （残余层距离结构顶端大约13微米左右） 附图刻蚀前后截面SEM照片。  刻蚀后刻不动.jpg  刻蚀前 .jpg |
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yswyx 
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