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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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真空涨落

木虫 (小有名气)

[求助] 紫外光刻厚胶，用于掩蔽

工艺需要4微米左右的厚胶就好了，图形是3-4微米间隔。我光刻的成了碗型。使用胶i7010正胶（好像是AZ的）
有什么好方法可以使侧壁陡直？包括前烘，曝光，显影，后烘等等，甚至浸泡二甲苯。。。
谢谢各位大神啦

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物含妙理总堪寻
1楼 2012-11-30 07:50:27
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by 真空涨落 at 2012-12-05 07:34:51
我们之前是用RIE和ICP SiO2的，可是多工序不说，关键是也不陡直，所以放弃了那个，专门用胶掩蔽的。...

ICP SiO2都不陡直？！！你之前的光刻还是用的这个胶？如果还是用的这个胶，那就不是ICP的问题，而是胶的问题。我建议你用分辨率好一些的胶来做hard mask的图形转移。
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7楼2012-12-05 14:36:59
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真空涨落

木虫 (小有名气)
顶一下，怎么没人回复。。。
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物含妙理总堪寻
2楼2012-12-01 21:33:27
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
真空涨落: 金币+10, 谢谢，每次都是您帮我。 2012-12-05 07:32:43
为什么不用hard mask来加一层掩蔽，这样不就可以用比较薄的胶来做工艺了啊。比如你长一层金属或者是SiO，然后再用高分辨率的光刻胶，比如我们的i1000，然后吧SiO窗口打开，然后再做注入。打开窗口你可以用RIE，相对比较陡直。这样的话就不用扣光刻工艺了，高分辨率胶得到的垂直结果肯定比厚胶要好很多啊。
i7010是稻化学的，以前是shipley。
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4楼2012-12-04 14:44:19
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
真空涨落: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢，我会试试 2012-12-05 07:32:18
考虑延长曝光时间或者延长显影时间
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5楼2012-12-04 23:22:10
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