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suifeng_muiq金虫 (小有名气)
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关于磁控溅射SiO2薄膜的绝缘性问题 已有3人参与
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| 我们在溅射SiO2的时候用的是射频溅射,靶材为2英寸的SiO2. 溅射功率是100w和150w,工作气压是0.1 Pa。然后对SiO2的绝缘性进行测试,发现200 nm,250 nm的二氧化硅的绝缘性不好。300 nm的绝缘性还行,但是要分两次来做150nm+150nm。请教一下如何解决SiO2绝缘性不好的问题。另外,溅射的过程没有通O2,氧气对此有影响吗?求解! |
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suifeng_muiq
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4楼2014-09-26 16:51:44
peterflyer
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2楼2014-09-25 14:05:47
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peterflyer
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5楼2014-09-26 17:37:56







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