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suifeng_muiq金虫 (小有名气)
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关于磁控溅射SiO2薄膜的绝缘性问题 已有3人参与
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| 我们在溅射SiO2的时候用的是射频溅射，靶材为2英寸的SiO2. 溅射功率是100w和150w，工作气压是0.1 Pa。然后对SiO2的绝缘性进行测试，发现200 nm，250 nm的二氧化硅的绝缘性不好。300 nm的绝缘性还行，但是要分两次来做150nm+150nm。请教一下如何解决SiO2绝缘性不好的问题。另外，溅射的过程没有通O2，氧气对此有影响吗？求解！ |
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 薄膜材料和器件制备 |
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