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suifeng_muiq

金虫 (小有名气)

[求助] 关于磁控溅射SiO2薄膜的绝缘性问题 已有3人参与

我们在溅射SiO2的时候用的是射频溅射,靶材为2英寸的SiO2. 溅射功率是100w和150w,工作气压是0.1 Pa。然后对SiO2的绝缘性进行测试,发现200 nm,250 nm的二氧化硅的绝缘性不好。300 nm的绝缘性还行,但是要分两次来做150nm+150nm。请教一下如何解决SiO2绝缘性不好的问题。另外,溅射的过程没有通O2,氧气对此有影响吗?求解!
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
楼主观察过薄膜的表面形貌吗?二氧化硅理论上应该是绝缘的,但实际上却不绝缘,说明要么材料被污染了,要么薄膜存在大量孔洞,影响了绝缘性。
2楼2014-09-25 14:05:47
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


引用回帖:
4楼: Originally posted by suifeng_muiq at 2014-09-26 16:51:44
测试了一下,SiO2表面存在着空洞,那么有什么办法消除空洞吗?...

说明靶材可能密度不够高;或者里面存在较多的气孔。更换靶材、将沉积表面进行喷砂处理、膜溅射地厚一些。
5楼2014-09-26 17:37:56
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150465250

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
suifeng_muiq: 金币+10, 有帮助, 我试一下,谢谢 2014-10-10 11:13:41
覆盖率的问题。下面用三氧化二铝垫下底。三氧化二铝为非晶,覆盖率好。氧化硅容易晶化,就成岛状l咧
7楼2014-10-06 14:24:40
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普通回帖

邢颖邢颖

新虫 (初入文坛)

可以考虑一下量子化
3楼2014-09-25 18:18:22
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suifeng_muiq

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by peterflyer at 2014-09-25 14:05:47
楼主观察过薄膜的表面形貌吗?二氧化硅理论上应该是绝缘的,但实际上却不绝缘,说明要么材料被污染了,要么薄膜存在大量孔洞,影响了绝缘性。

测试了一下,SiO2表面存在着空洞,那么有什么办法消除空洞吗?
多数的错与失,是因为不努力、不坚持、不挽留,然后告诉自己一切都是命运!
4楼2014-09-26 16:51:44
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
suifeng_muiq: 金币+20, ★★★很有帮助, 我试一下 2014-09-28 13:43:54
内容已删除
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
6楼2014-09-27 13:37:37
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li2005235

新虫 (初入文坛)

同学,SiO绝缘膜的绝缘性你是怎么测试的?做电极了吗?
8楼2014-10-20 15:38:45
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suifeng_muiq

金虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by li2005235 at 2014-10-20 15:38:45
同学,SiO绝缘膜的绝缘性你是怎么测试的?做电极了吗?

对的,做的电极测试的
多数的错与失,是因为不努力、不坚持、不挽留,然后告诉自己一切都是命运!
9楼2014-11-13 13:36:26
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julietzhu

银虫 (小有名气)

引用回帖:
9楼: Originally posted by suifeng_muiq at 2014-11-13 13:36:26
对的,做的电极测试的...

做的电极会不会也是影响绝缘性的因素呢?
10楼2014-12-06 10:38:09
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