计算镁层错能时 模型、参数设置方面的疑问
小弟刚入VASP，现在计算I1镁层错能方面遇到了一些问题，向各位请教：
我查过一些文献，根据他们搭超胞的方法，建立一个层错模型再在两侧添加真空层的方法来计算，然后设置ISIF=3,完全弛豫，弛豫后CONTCAR里的模型又给弛豫回去了，十分接近之前ABABAB正常镁基体的排列，这种情况下得出来的总能量和无层错模型的总能量差与文献差了两倍，我的只有10mJm-2，而文献里是20mJm-2左右，不知是什么原因。
另外还有几个问题，
一、这种计算层错时POSCAR里层错面上的原子需要固定坐标吗？
二、这种层错能会不会受POSCAR真空层的层数的影响？
求大神答疑解惑！不胜感激
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自顶啊，求大神帮忙解答！
ISIF 不能用 3
要用 2
弛豫后CONTCAR里的模型又给弛豫回去了是因为你没固定原子啊，一般算层错的时候只弛豫垂直滑移面的方向，
真空层一般10到20A就够了，当然自己根据体系结构需要测试一下。
我自己也测试过固定原子的情况，可是这样算出来的CONTCAR层错界面上的原子是不动了，层错两端的原子又会跑回去，而且层错能就上升很大，大神能给个POSCAR让我借鉴一下嘛，实在搞晕了
，
我试了一下，把基态和层错两个模型都用ISIF=2来算的出来的层错能偏离的很大