首先Eg是一个理想概念，晶体中总会存在各种缺陷，这些缺陷可以形成新的吸收带。其次只有能量大于Eg的光子在半导体中才会被吸收，形成空穴电子对，这也是为什么吸收带边可以判定Eg大小的原因。最后，如果能量小于Eg的光子也是有可能被吸收的，但是不会形成空穴电子对，因为没有足够的能量使电子跃迁到导带上，这些受激电子脱激过程中放出的能量以热量或者其他的方式放出去。。。

这个应该不是隧道效应。我觉得除了楼上所说的缺陷的影响，还应考虑载电子和空穴的浓度分布。
导带中的电子浓度分布函数是态密度函数和费米狄拉克函数的乘积，即：
N(E)=S(E)f(E).
但N(E)的极值并不在导带低，而是在距离带边几个kT处。
空穴浓度与此类似。
而实际吸收波长其实是由电子和空穴的分布共同决定的，并不完全是由能带图里的禁带宽度决定的，所以会出现你说的情况。

类似的，在光致发光时，发光光谱(PL)也不是垂直上升垂直下降的。

光照射到半导体材料上，一般都会被吸收的，因为晶格振动的声子吸收，缺陷或者位错能级的吸收等，如果大于Eg的话，还要看材料是直接带隙还是间接带隙，直接带隙的话他的吸收边会很陡峭，几乎是垂直下来的，之所以有一点点斜度是因为里面的激子吸收等导致的；而间接带隙材料，吸收边会有一定的斜度，斜的程度就要看他具体的能带结构了，