| 查看: 1867 | 回复: 5 | ||
[求助]
旋涂法做氧化锆TFT（ALD做ZnO）漏电流太多，转移曲线往下掉已有1人参与
|
|
请教各位，我在ITO玻璃上旋涂氧化锆栅介质层，然后用原子层沉积做ZnO（沉积温度300度，沉积次数400层），最后镀铝电极膜。问题就是器件的转移曲线随着栅压增加会往下掉，根本上不去；输出曲线也是随着栅压增加一条一条往下掉。请问一下有什么好办法解决这个问题，以下是我制作氧化锆栅介质层的步骤，谢谢！ 1、八水氯氧化锆溶于乙二醇甲醚形成0.3mol/L，超声振荡，静置一天 2、旋涂一层后于80℃预退火15分钟，冷却下来再旋一层，再80℃预退火15分钟 3、旋涂俩层后在300℃下退火一个小时下退火一个小时  qq_pic_merged_1522660668088.jpg  QQ图片20180402171336.jpg  QQ图片20180402171456.jpg |
回复此楼» 猜你喜欢
合成硒化铋
已经有0人回复
-
2024最后上岸机会——青岛科技大学材料学院 2024年 金属纳米团簇团队考研调剂招生
已经有15人回复
-
无机非金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有290人回复
-
功能陶瓷
已经有0人回复
-
vasp算d带中心的问题
已经有0人回复
-
求Cu-TCNQ的cif文件，包括两个相
已经有0人回复
-
投稿SPT
已经有3人回复
-
澳大利亚 悉尼科技大学 (UTS) 招收全奖博士生，CSC-UTS博士生 (2025)
已经有6人回复
-
应届微电子博士寻求一份海外TOP100院校博后
已经有0人回复
xiaohouzidz 
捐助贵宾 (正式写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 2019.5
- 散金: 76
- 红花: 1
- 帖子: 623
- 在线: 307.2小时
- 虫号: 4634206
- 注册: 2016-04-27
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ...
感谢参与，应助指数 +1
wubaozai: 金币+100, ★有帮助 2018-04-04 08:01:41
wubaozai: 金币+50, ★有帮助 2018-04-04 10:19:02
感谢参与，应助指数 +1
wubaozai: 金币+100, ★有帮助 2018-04-04 08:01:41
wubaozai: 金币+50, ★有帮助 2018-04-04 10:19:02
| 看起来根本没有场效应，应该是N型的TFT器件，正栅压下转移曲线没有。考虑1，通过MIM结构确定介电层漏点情况，2霍尔效应确认氧化锌载流子浓度e14-e17，考虑ALD生长温度太高，ALD氧化锌的工艺窗口很窄，所以先要优化好氧化锌，可以在购买的成熟的热氧化的硅片上先优化ALD的氧化锌，之后再结合氧化锆。 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
Z7802837172楼2018-04-04 07:31:48
xiaohouzidz
捐助贵宾 (正式写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 2019.5
- 散金: 76
- 红花: 1
- 帖子: 623
- 在线: 307.2小时
- 虫号: 4634206
- 注册: 2016-04-27
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
3楼2018-04-04 07:34:07
4楼2018-04-26 15:29:24
Chempurity
禁虫 (小有名气)
|
本帖内容被屏蔽 |
5楼2019-08-09 14:48:47
Z780283717
新虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 387.1
- 散金: 52
- 帖子: 162
- 在线: 14.9小时
- 虫号: 29505431
- 注册: 2022-04-19
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
6楼2024-03-01 10:21:57
5