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【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的？

作者 Atma: 来源: 小木虫 600 12 举报帖子

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看文献说graphene无gap，所以开关比低，不理解

[ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ] 返回小木虫查看更多

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精华评论

diamondfire

小禁带利于低电压工作，但是Ioff太大了，所以开关比低。
deler

一般来说，带隙小的，导电性好些，当然这个和掺杂的浓度有关，
导电性好，开关比，自然就低，
这个很好理解，不加gate电压的时候导电性就很好了，那么加gate电压后
也很好，这样就开关的电流比就很小了，像Graphene，ITO等导电性好的材料，
开关比都很低，做成TFT主要是测他们的迁移率，要做开关的器件，比如逻辑电路
驱动LCD等，就不行了，所以Graphene的意义一下子降低了很多，当然如果graphene
通过改性或掺杂能增加他的带隙，降低他的电导率，还是很有前途的，
fengyang5

引用回帖:
Originally posted by deler at 2010-10-10 11:00:46:
一般来说，带隙小的，导电性好些，当然这个和掺杂的浓度有关，
导电性好，开关比，自然就低，
这个很好理解，不加gate电压的时候导电性就很好了，那么加gate电压后
也很好，这样就开关的电流比就很小了，像Gra ...

同意，现在已有文章通过改性使之成为半导体性的
nirlord

比如说双层石墨烯，本身可调带隙，可以做高on/off的FET
subject

有一文章使graphene的二维中的一维尺寸减小可以提高禁带宽度从而提高开关电流比，发在了nature上
yangyumei114

引用回帖:
Originally posted by subject at 2010-11-09 13:50:36:
有一文章使graphene的二维中的一维尺寸减小可以提高禁带宽度从而提高开关电流比，发在了nature上

是 a diverse printed future吧，我正在看~~~~~