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【讨论】材料的带隙是怎样影响FET器件的开关比的?

作者 Atma
来源: 小木虫 600 12 举报帖子
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看文献说graphene无gap,所以开关比低,不理解

[ Last edited by Atma on 2010-3-20 at 21:28 ] 返回小木虫查看更多

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  • 精华评论
  • highpy

    引用回帖:
    19897061楼: Originally posted by subject at 2010-11-09 13:50:36
    有一文章使graphene的二维中的一维尺寸减小可以提高禁带宽度从而提高开关电流比,发在了nature上

    有器件還是理論

  • yzzzwei

    有带隙就是说能带中有禁带,如果费米面落于禁带中,那么当源漏极两端的电势差小于禁带宽度时,由于沟道中没有电子通过的通道,器件不能导通,电流为零,当然由于温度的存在,费米面会展宽,电流可能不会为零,但比较小;而当源漏电压超过禁带宽度,这导通,电流比较大,这一大一小的比就是开关比。石墨烯没有带隙,导带和价带重合于一个点(Dirac点),所以开关比很小。

  • yanleo

    引用回帖:
    5楼: Originally posted by fengyang5 at 2010-10-29 15:18:41
    同意,现在已有文章通过改性使之成为半导体性的...

    请问您有这篇改性成为半导体的文章吗,全名是什么呢?谢谢

  • fengyang5

    引用回帖:
    11楼: Originally posted by yzzzwei at 2012-08-31 18:57:53
    有带隙就是说能带中有禁带,如果费米面落于禁带中,那么当源漏极两端的电势差小于禁带宽度时,由于沟道中没有电子通过的通道,器件不能导通,电流为零,当然由于温度的存在,费米面会展宽,电流可能不会为零,但比较 ...

    嗯 说的好
    还想请教你一个问题 材料的耐电压大小与禁带宽度关联,还是与其费米面的位置相关,感觉有点理不清

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