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suifeng_muiq

金虫 (小有名气)

[求助] 关于磁控溅射SiO2薄膜的绝缘性问题 已有3人参与

我们在溅射SiO2的时候用的是射频溅射,靶材为2英寸的SiO2. 溅射功率是100w和150w,工作气压是0.1 Pa。然后对SiO2的绝缘性进行测试,发现200 nm,250 nm的二氧化硅的绝缘性不好。300 nm的绝缘性还行,但是要分两次来做150nm+150nm。请教一下如何解决SiO2绝缘性不好的问题。另外,溅射的过程没有通O2,氧气对此有影响吗?求解!
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水电费主管

铁虫 (初入文坛)

12楼2018-06-05 09:33:12
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