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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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xaver2010

金虫 (小有名气)

[求助] 直流磁控溅射中柱状晶的抑制 已有1人参与

前两天直流磁控溅射中做出来的Co,在TEM下观察晶粒尺寸达到10几纳米,也挺均匀,但是会出现柱状晶的现象。具体情况是,我看文献中有为了抑制柱状晶生长而在溅射过程中镀一段时间停一段时间,我在试验中试着镀2min中就停一段时间,然后接着镀,可是Tem照片中还是有明显的柱状倾向啊。而在镀了2min的薄膜中就没有观察到柱状晶。。请问柱状晶的生长模式是什么啊。如果想要足够厚的薄膜而且没有明显的柱状晶生长,该如何做呢??多谢。。。有柱状晶图片一张
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vion_zy

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

柱状晶应该是自组织生长的,你可以改变一下基底温度或者溅射气压试试。
6楼2014-02-23 14:51:53
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匿名

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2楼2013-12-05 09:39:07
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xaver2010

金虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by TaoGG at 2013-12-05 09:39:07
出现柱状晶是磁控溅射生长结晶态涂层材料的一个重要特征   一般膜层为一两百纳米时是随机取向的    超过这个厚度之后由于入射源的单向性加之阴影效应   出现柱状晶     想要抑制可以做有分层结构、纳米复合结构等方 ...

嗯,尝试中,多谢了啊,不知道你有没有用磁控溅射做过Co膜,我做出来的膜电子衍射图显示是fcc结构,可是常温下的Co不应该是hcp的吗?
3楼2013-12-25 15:09:15
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匿名

用户注销 (正式写手)

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4楼2013-12-26 09:41:33
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