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xaver2010

金虫 (小有名气)

[求助] 直流磁控溅射中柱状晶的抑制 已有1人参与

前两天直流磁控溅射中做出来的Co,在TEM下观察晶粒尺寸达到10几纳米,也挺均匀,但是会出现柱状晶的现象。具体情况是,我看文献中有为了抑制柱状晶生长而在溅射过程中镀一段时间停一段时间,我在试验中试着镀2min中就停一段时间,然后接着镀,可是Tem照片中还是有明显的柱状倾向啊。而在镀了2min的薄膜中就没有观察到柱状晶。。请问柱状晶的生长模式是什么啊。如果想要足够厚的薄膜而且没有明显的柱状晶生长,该如何做呢??多谢。。。有柱状晶图片一张
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匿名

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4楼2013-12-26 09:41:33
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匿名

用户注销 (正式写手)

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2楼2013-12-05 09:39:07
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xaver2010

金虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by TaoGG at 2013-12-05 09:39:07
出现柱状晶是磁控溅射生长结晶态涂层材料的一个重要特征   一般膜层为一两百纳米时是随机取向的    超过这个厚度之后由于入射源的单向性加之阴影效应   出现柱状晶     想要抑制可以做有分层结构、纳米复合结构等方 ...

嗯,尝试中,多谢了啊,不知道你有没有用磁控溅射做过Co膜,我做出来的膜电子衍射图显示是fcc结构,可是常温下的Co不应该是hcp的吗?
3楼2013-12-25 15:09:15
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xaver2010

金虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by TaoGG at 2013-12-26 09:41:33
Co没有做过   文献资料应该很多啊    磁控溅射本来就是非平衡过程    如果配合一定条件可以保留高温相的结构    现在部分人都用来做非晶合金薄膜了     所以说出现fcc也是可以理解的      当然前提是你的实验结论是 ...

嗯,多谢了啊,不过好像用磁控做纯金属Co的还真不多,我再查一下吧,多谢了啊
5楼2013-12-26 20:01:03
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