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关于金属靶磁控溅射问题
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miaobotong
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[交流]
关于金属靶磁控溅射问题
我在用射频磁控溅上金属膜时,基材是单晶硅,功率40w,但是镀不上膜,而且靶罩变成了黑色,不知是什么原因?麻烦各位给些建议,谢谢!
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2013-06-18 16:41:03
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磁控溅射方面也想学习哈子!
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2013-06-18 22:36:57
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1. 靶罩是指外面的挡板吗?如果是,请检查镀膜过程中挡板是否成功打开。
2. 40W的射频功率建立起来的靶上的偏压是多少?是否确定溅射能够发生?
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2013-06-19 03:16:48
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leongoall
at 2013-06-19 03:16:48
1. 靶罩是指外面的挡板吗?如果是,请检查镀膜过程中挡板是否成功打开。
2. 40W的射频功率建立起来的靶上的偏压是多少?是否确定溅射能够发生?
靶罩是在靶材的外面,不是基片挡板,已经起辉了,偏压是600v。但是不知道是什么原因,谢谢您
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2013-06-19 09:38:46
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能否具体说说你是用什么气体,什么靶材想镀什么膜不?太粗泛了真不好分析!
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2013-06-19 13:13:56
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at 2013-06-19 13:13:56
能否具体说说你是用什么气体,什么靶材想镀什么膜不?太粗泛了真不好分析!
我用氩气,铝靶或铜靶,在硅片上镀膜。另外,我想请问一下,对于不同的靶材,用相同的仪器,镀膜速率相同吗?
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2013-06-19 14:07:27
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我用氩气,铝靶或铜靶,在硅片上镀膜。另外,我想请问一下,对于不同的靶材,用相同的仪器,镀膜速率相同吗?...
不同的靶材,镀膜速率当然不同!因为氩离子在轰击不同靶材的表面时,很多参数都跟着变,如溅射能量、反射系数等!
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8楼
2013-06-20 02:09:03
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用氩气溅射铝靶或铜靶,我始终想不通前面说靶罩上的黑色是怎么来的,因为如果起辉发生溅射的话,这两种金属无论如何也不会出现黑色的沉积物啊!另外,对于金属靶40W的射频功率能建立其600V的偏压对我来说实在是有点难以置信!
综上,我对楼主遇到的问题暂时无解!
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9楼
2013-06-20 02:11:49
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at 2013-06-20 02:09:03
不同的靶材,镀膜速率当然不同!因为氩离子在轰击不同靶材的表面时,很多参数都跟着变,如溅射能量、反射系数等!...
如果同样是金属靶,比如铜或铝或金是不是相差的不会很多呢?
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10楼
2013-06-20 09:37:22
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2013-06-20 13:58:59
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miaobotong
at 2013-06-20 02:37:22
如果同样是金属靶,比如铜或铝或金是不是相差的不会很多呢?...
你想说明什么呢?溅射速率你直接沉积一段时间然后测量膜厚就能算出来啊,即使相差不是很多跟他们都是金属也没有直接关系啊
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11楼
2013-06-20 12:37:31
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11楼
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at 2013-06-20 12:37:31
你想说明什么呢?溅射速率你直接沉积一段时间然后测量膜厚就能算出来啊,即使相差不是很多跟他们都是金属也没有直接关系啊...
谢谢!
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12楼
2013-06-20 13:58:05
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at 2013-06-20 02:11:49
用氩气溅射铝靶或铜靶,我始终想不通前面说靶罩上的黑色是怎么来的,因为如果起辉发生溅射的话,这两种金属无论如何也不会出现黑色的沉积物啊!另外,对于金属靶40W的射频功率能建立其600V的偏压对我来说实在是有点 ...
40W/600V只能说明真空度太低,要么Ar通量太小,要么腔体漏气严重。。。
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13楼
2013-06-24 20:51:09
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你的溅射气压多大啊?
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14楼
2013-11-08 15:43:47
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2013-06-18 20:25
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