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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

[求助] 直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重已有1人参与

各位虫友,我最近用脉冲直流磁控溅射在玻璃基片上镀硅膜。靶悬挂在真空室上方,基片放在靶正下方。实验中, 本底真空为2*10^4 pa,Ar:1000 sccm, 功率为7kw,最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中,靶阳极上镀上的硅会发生脱落,落在基片上,在硅膜上产生了很多的坑。大家以前做的时候遇到过这种情况吗?怎么才能有效的避免阳极上镀上的硅不发生脱落?谢谢大家帮忙
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sunwinner

金虫 (正式写手)

接楼上,LZ再提供一些镀膜机和电源的说明
3楼2012-12-29 13:13:25
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xjtu-sunhl

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
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nmliuhai: 金币+1, 有帮助 2012-12-30 17:23:00
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-30 21:22:54
"靶阳极上镀上的硅会发生脱落", 不是用的纯Sii靶吗?

一般都是靶在下方,基片在上方的磁控溅射镀膜机,你的这种比较少见,你可以用别人的机子镀膜试试。
2楼2012-12-29 09:13:11
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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

镀膜机采用的是靶在真空室上方,基片置于靶下方。靶是矩形平面靶,靶面是向下的。我查了查大概是说 ‘平面靶较易形成的再沉积区,这些被污染的靶面,极易产生掉渣然后落到玻璃基板上。同样这些地方很容易产生打弧,打弧又造成了更多掉渣和大颗粒的形成。’  感觉我们在镀膜的时候,沉积在阳极上的硅及靶面的再沉积区都会引起掉渣,不知道有没有什么办法可以减少这种掉渣。

镀膜示意图.jpg



条形靶.jpg

4楼2012-12-29 21:24:58
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wangyong832

银虫 (著名写手)

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nmliuhai: 金币+1, 有帮助 2012-12-30 17:23:59
不知道改变(提高)脉冲频率是否有用?
5楼2012-12-30 03:31:20
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wukong6170

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
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nmliuhai: 金币+1, 有帮助 2012-12-30 17:24:09
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-30 21:23:13
我想可能是靶太热了,会不会是散热系统有什么问题呢
6楼2012-12-30 12:19:54
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖


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nmliuhai: 金币+1, 有帮助 2012-12-30 17:24:17
镀20um厚!!!溅射!~
这要花多少钱?干嘛不用键合的方法,把硅片和玻璃键合在一起,然后再减薄。只是这样硅是单晶的,不知道是否合适你用。
7楼2012-12-30 13:01:51
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖


nmliuhai: 金币+1 2012-12-30 17:24:29
引用回帖:
4楼: Originally posted by nmliuhai at 2012-12-29 21:24:58
镀膜机采用的是靶在真空室上方,基片置于靶下方。靶是矩形平面靶,靶面是向下的。我查了查大概是说 ‘平面靶较易形成的再沉积区,这些被污染的靶面,极易产生掉渣然后落到玻璃基板上。同样这些地方很容易产生打弧, ...

你这种设备不适合镀要求高的薄膜。上靶下片的设备是老式结构,现在已经不多了,就是因为沾污的问题的太严重。现在的设备要么片子是立着的,要么是在上面。

你镀的膜又这么厚,缺陷沾污是难免的,最好换设备。
8楼2012-12-30 13:14:52
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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

谢谢大家的讨论,回头我们试试把电源的频率加大点试试。现在频率是80 kHz。因为我们以后要往很大的件上镀Si,所以件只能是放在下边。如上图的靶图,在镀膜机中靶面是向下的,图中靶的压框的下边还有阳极框,阳极里边通的是冷却水。所以在镀膜的过程中,阳极上沉积的si可能会因为和金属的热膨胀系数不一样发生崩裂,掉到基片上。
9楼2012-12-30 17:17:13
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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by wukong6170 at 2012-12-30 12:19:54
我想可能是靶太热了,会不会是散热系统有什么问题呢

现在就是溅射的阳极框上的Si发生脱落,应该是和阳极的散热有关的。
10楼2012-12-30 17:19:05
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