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【求助】直流磁控溅射AlN薄膜的工艺条件，比如氮气流量、比例，镀膜气压？？靶电压？ 已有6人参与
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| 小弟是在读硕士，用直流磁控溅射方法制备氮化铝薄膜，由于是新买来的仪器，搞不清镀膜的工艺条件，比如N2流量，以及N2和Ar的比例，还有镀膜气压？？？靶电压？？？ 小弟摸不准，最近做了一些实验，镀膜一个小时，居然几乎没有薄膜生长，很薄的一层，做XRD测试，观察不到衍射峰，不知道如何控制工艺条件才能生长比较快？？望各位指点，小弟跪求！！！ |
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