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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】直流磁控溅射AlN薄膜的工艺条件，比如氮气流量、比例，镀膜气压？？靶电压？
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heartopen

新虫 (小有名气)

[交流] 【求助】直流磁控溅射AlN薄膜的工艺条件，比如氮气流量、比例，镀膜气压？？靶电压？ 已有6人参与

小弟是在读硕士，用直流磁控溅射方法制备氮化铝薄膜，由于是新买来的仪器，搞不清镀膜的工艺条件，比如N2流量，以及N2和Ar的比例，还有镀膜气压？？？靶电压？？？  小弟摸不准，最近做了一些实验，镀膜一个小时，居然几乎没有薄膜生长，很薄的一层，做XRD测试，观察不到衍射峰，不知道如何控制工艺条件才能生长比较快？？望各位指点，小弟跪求！！！
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1楼 2011-03-02 17:15:42
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迫不得已

银虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我们实验室设备也是直流磁控溅射，靶材是钛，靶电压应该是500v左右，镀膜气压不应过低，尤其是刚开始的，气压在0.5帕左右，等辉光放电成功后，不断调节氮气和氩气的流量，使之保持在0.5帕左右！如果还不行的话，那就是靶材和基片相距太远啦！
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我就是我，颜色不一样的烟火
5楼2014-03-13 21:52:55
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380677864

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
为什么用氮气呀？？
我镀过钛，只用氩气，流量15sccm，压强要小，适当可以加不到100的偏压，慢慢试，先时间长点，我们这里有的材料要镀3小时，没事，多预溅一会
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2楼2011-03-03 21:52:33
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heartopen

新虫 (小有名气)
多谢兄才，我现在不搞氮化铝了，做氮化锌薄膜
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3楼2011-03-24 10:48:58
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道远58

新虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
不同的设备应该参数不一样吧 功率120w左右，氩氮比7:3  温度650℃ 时间90分钟 我们都是用这个做的
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4楼2012-08-02 15:58:21
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