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heartopen

新虫 (小有名气)

[交流] 【求助】直流磁控溅射AlN薄膜的工艺条件,比如氮气流量、比例,镀膜气压??靶电压? 已有6人参与

小弟是在读硕士,用直流磁控溅射方法制备氮化铝薄膜,由于是新买来的仪器,搞不清镀膜的工艺条件,比如N2流量,以及N2和Ar的比例,还有镀膜气压???靶电压???  小弟摸不准,最近做了一些实验,镀膜一个小时,居然几乎没有薄膜生长,很薄的一层,做XRD测试,观察不到衍射峰,不知道如何控制工艺条件才能生长比较快??望各位指点,小弟跪求!!!
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heartopen

新虫 (小有名气)

多谢兄才,我现在不搞氮化铝了,做氮化锌薄膜
3楼2011-03-24 10:48:58
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查看全部 7 个回答

380677864

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
为什么用氮气呀??
我镀过钛,只用氩气,流量15sccm,压强要小,适当可以加不到100的偏压,慢慢试,先时间长点,我们这里有的材料要镀3小时,没事,多预溅一会
2楼2011-03-03 21:52:33
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道远58

新虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
不同的设备应该参数不一样吧 功率120w左右,氩氮比7:3  温度650℃ 时间90分钟 我们都是用这个做的
4楼2012-08-02 15:58:21
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迫不得已

银虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我们实验室设备也是直流磁控溅射,靶材是钛,靶电压应该是500v左右,镀膜气压不应过低,尤其是刚开始的,气压在0.5帕左右,等辉光放电成功后,不断调节氮气和氩气的流量,使之保持在0.5帕左右!如果还不行的话,那就是靶材和基片相距太远啦!
我就是我,颜色不一样的烟火
5楼2014-03-13 21:52:55
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