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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

[求助] 直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重 已有1人参与

各位虫友,我最近用脉冲直流磁控溅射在玻璃基片上镀硅膜。靶悬挂在真空室上方,基片放在靶正下方。实验中, 本底真空为2*10^4 pa,Ar:1000 sccm, 功率为7kw,最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中,靶阳极上镀上的硅会发生脱落,落在基片上,在硅膜上产生了很多的坑。大家以前做的时候遇到过这种情况吗?怎么才能有效的避免阳极上镀上的硅不发生脱落?谢谢大家帮忙
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖


nmliuhai: 金币+1 2012-12-30 17:24:29
引用回帖:
4楼: Originally posted by nmliuhai at 2012-12-29 21:24:58
镀膜机采用的是靶在真空室上方,基片置于靶下方。靶是矩形平面靶,靶面是向下的。我查了查大概是说 ‘平面靶较易形成的再沉积区,这些被污染的靶面,极易产生掉渣然后落到玻璃基板上。同样这些地方很容易产生打弧, ...

你这种设备不适合镀要求高的薄膜。上靶下片的设备是老式结构,现在已经不多了,就是因为沾污的问题的太严重。现在的设备要么片子是立着的,要么是在上面。

你镀的膜又这么厚,缺陷沾污是难免的,最好换设备。
8楼2012-12-30 13:14:52
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xjtu-sunhl

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
nmliuhai: 金币+1, 有帮助 2012-12-30 17:23:00
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-12-30 21:22:54
"靶阳极上镀上的硅会发生脱落", 不是用的纯Sii靶吗?

一般都是靶在下方,基片在上方的磁控溅射镀膜机,你的这种比较少见,你可以用别人的机子镀膜试试。
2楼2012-12-29 09:13:11
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sunwinner

金虫 (正式写手)

接楼上,LZ再提供一些镀膜机和电源的说明
3楼2012-12-29 13:13:25
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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

镀膜机采用的是靶在真空室上方,基片置于靶下方。靶是矩形平面靶,靶面是向下的。我查了查大概是说 ‘平面靶较易形成的再沉积区,这些被污染的靶面,极易产生掉渣然后落到玻璃基板上。同样这些地方很容易产生打弧,打弧又造成了更多掉渣和大颗粒的形成。’  感觉我们在镀膜的时候,沉积在阳极上的硅及靶面的再沉积区都会引起掉渣,不知道有没有什么办法可以减少这种掉渣。

镀膜示意图.jpg



条形靶.jpg

4楼2012-12-29 21:24:58
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