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nmliuhai

铜虫 (小有名气)

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[求助] 直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重已有1人参与

各位虫友，我最近用脉冲直流磁控溅射在玻璃基片上镀硅膜。靶悬挂在真空室上方，基片放在靶正下方。实验中, 本底真空为2*10^4 pa，Ar：1000 sccm, 功率为7kw，最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中，靶阳极上镀上的硅会发生脱落，落在基片上，在硅膜上产生了很多的坑。大家以前做的时候遇到过这种情况吗？怎么才能有效的避免阳极上镀上的硅不发生脱落？谢谢大家帮忙

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1楼 2012-12-28 23:36:24

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nmliuhai

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镀膜机采用的是靶在真空室上方，基片置于靶下方。靶是矩形平面靶，靶面是向下的。我查了查大概是说 ‘平面靶较易形成的再沉积区，这些被污染的靶面，极易产生掉渣然后落到玻璃基板上。同样这些地方很容易产生打弧，打弧又造成了更多掉渣和大颗粒的形成。’ 感觉我们在镀膜的时候，沉积在阳极上的硅及靶面的再沉积区都会引起掉渣，不知道有没有什么办法可以减少这种掉渣。

镀膜示意图.jpg

条形靶.jpg