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直流脉冲磁控溅射镀硅膜阳极掉渣严重 已有1人参与
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| 各位虫友，我最近用脉冲直流磁控溅射在玻璃基片上镀硅膜。靶悬挂在真空室上方，基片放在靶正下方。实验中, 本底真空为2*10^4 pa，Ar：1000 sccm, 功率为7kw，最后硅膜的厚度为20微米。不知为什么在镀的过程中，靶阳极上镀上的硅会发生脱落，落在基片上，在硅膜上产生了很多的坑。大家以前做的时候遇到过这种情况吗？怎么才能有效的避免阳极上镀上的硅不发生脱落？谢谢大家帮忙 |
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4楼2012-12-29 21:24:58
xjtu-sunhl
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wangyong832
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5楼2012-12-30 03:31:20
