氧空穴的 形成  就在体系中就会有多余的电子出现  相当于 N 型半导体 中  掺杂施主离子     这样 就会提高费米能及  （半导体物理里面有）   也就是降低功函数

各位关于功函数的理解，感觉还有些问题。
功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面，更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。

至于判断O是施主，很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。

大家多多讨论交流。  zha_gq@hotmail.com，

另外，功函数看是用什么方法测得的？UPS，还是开尔文探针？

功函数降低应该是因为，表面的O空位缺陷破坏了原来的表面电偶极层。相关的基本的解释，推荐一篇文章，这里面讲得比较透彻。
D. Cahen and A. Kahn, "Electron Energetics at Surfaces and Interfaces:Concepts and. Experiments", Advanced Materials vol. 15 (2003) p. 271

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学习了 MARK一下 解释的时候再来看看

比较有意思，关注一下！

应该是表面氧空穴多余电子流向体相，形成一个电场方向向上的偶极层 （band bending），从而降低了功函数吧