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【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释

作者 bosezi: 来源: 小木虫 700 14 举报帖子

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最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢

[ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] 返回小木虫查看更多

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精华评论

ppjason

建议看看热力学与统计物理，加上固体物理的相关内容应该能清楚
djt

共同学习一下吧
定性分析按理说比较容易
bosezi

引用回帖:
Originally posted by ppjason at 2009-10-6 17:25:
建议看看热力学与统计物理，加上固体物理的相关内容应该能清楚

还忘多多指教阿
bosezi

自己顶一下，还望大家帮忙啊
yzcluster

我给你说一个简单的解释。
功函数的定义是W=E0-Ef，其中，E0是真空能级，Ef是费米能级。如果W降低，很显然是Ef增大了，或者说，升高了。
对于体系存在O原子，O原子（或O离子）在固体中形成的是离子键（当然也可能会有共价成分），但不管怎么说，都是把电子（包括O本身的电子和其他电负性比较低的原子电子）定域在O离子周围。当出现O空位，其所束缚的其他原子电子就被释放出来了。这个相当于在体系中掺入了N型施主杂志来释放电子。而体系电子多了，费米能级就会相应的上升，也就是升高了。换句话说，W减少了。

以上是体相的情况。如果是表面，可能还有费米针扎效应等等，而且理论上的说法并不统一。表面问题很复杂，就不多说了，
bosezi

引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-10-7 10:48:
我给你说一个简单的解释。
功函数的定义是W=E0-Ef，其中，E0是真空能级，Ef是费米能级。如果W降低，很显然是Ef增大了，或者说，升高了。
对于体系存在O原子，O原子（或O离子）在固体中形成的是离子键（当然也可 ...

能否这样理解：n型半导体中O空位的缺陷使功函数减小（掺杂效应），那如果样品为p型，则会是功函数变大

另外可否请yzcluster讲讲pinning effect. 这个应该不会影响功函吧？
yjyang07

学习了很好啊