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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 射频磁控溅射法制备MgO薄膜
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大雄MZ

金虫 (初入文坛)

[求助] 射频磁控溅射法制备MgO薄膜 已有1人参与

用射频磁控溅射法制备MgO薄膜，应选择金属Mg靶还是MgO靶，这两种靶材制备MgO薄膜会有有哪些区别。有文献中提到因为MgO抗离子轰击能力较强，用MgO做靶材沉积速率会比较慢。除了影响沉积速率，相对于以Mg为靶材，还会有什么不好的影响吗？而如果选择Mg做靶材，薄膜制备过程中必须通入氧气，如果工作气体中氧分压超过一定的数值，Mg靶的表面也会迅速被氧化成MgO，沉积速率同样受到影响。氧分压是射频磁控溅射法制备MgO薄膜的一个关键的影响因素，氧分压如果不够高，会不会在MgO薄膜中产生大量的氧空位或锌填隙缺陷。哪位大神在这方面有经验还望给于指教，谢谢！
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1楼 2014-10-09 21:20:38
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大雄MZ

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wjwbetter at 2014-10-10 00:51:08
反应溅射的速度会跟直接用氧化镁靶材的速度差不多，说不定会更慢。氧分压可以稍微大一点，如果过量了，后面通过真空退火可以把过量的氧排出去

谢谢，还想问一下制备MgO薄膜，应选择金属Mg靶还是MgO靶？
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3楼2014-10-10 10:29:53
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wjwbetter

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
大雄MZ: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-10-20 16:15:02
反应溅射的速度会跟直接用氧化镁靶材的速度差不多，说不定会更慢。氧分压可以稍微大一点，如果过量了，后面通过真空退火可以把过量的氧排出去

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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你只有相信它，你才能接近它。
2楼2014-10-10 00:51:08
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wanghuaxing

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
4楼2014-10-10 21:32:00
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chenman106

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wjwbetter at 2014-10-10 00:51:08
反应溅射的速度会跟直接用氧化镁靶材的速度差不多，说不定会更慢。氧分压可以稍微大一点，如果过量了，后面通过真空退火可以把过量的氧排出去

我不对制备的薄膜进行退火处理，请问为什么说比直接用氧化镁做靶材还要慢。
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5楼2014-10-11 09:34:45
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