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射频磁控溅射法制备MgO薄膜 已有1人参与
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| 用射频磁控溅射法制备MgO薄膜，应选择金属Mg靶还是MgO靶，这两种靶材制备MgO薄膜会有有哪些区别。有文献中提到因为MgO抗离子轰击能力较强，用MgO做靶材沉积速率会比较慢。除了影响沉积速率，相对于以Mg为靶材，还会有什么不好的影响吗？而如果选择Mg做靶材，薄膜制备过程中必须通入氧气，如果工作气体中氧分压超过一定的数值，Mg靶的表面也会迅速被氧化成MgO，沉积速率同样受到影响。氧分压是射频磁控溅射法制备MgO薄膜的一个关键的影响因素，氧分压如果不够高，会不会在MgO薄膜中产生大量的氧空位或锌填隙缺陷。哪位大神在这方面有经验还望给于指教，谢谢！ |
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3楼2014-10-10 10:29:53
wjwbetter
金虫 (小有名气)
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2楼2014-10-10 00:51:08
wanghuaxing 
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4楼2014-10-10 21:32:00
5楼2014-10-11 09:34:45