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射频磁控溅射法制备MgO薄膜
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大雄MZ
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专业: 半导体晶体与薄膜材料
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射频磁控溅射法制备MgO薄膜
已有1人参与
用射频磁控溅射法制备MgO薄膜,应选择金属Mg靶还是MgO靶,这两种靶材制备MgO薄膜会有有哪些区别。有文献中提到因为MgO抗离子轰击能力较强,用MgO做靶材沉积速率会比较慢。除了影响沉积速率,相对于以Mg为靶材,还会有什么不好的影响吗?而如果选择Mg做靶材,薄膜制备过程中必须通入氧气,如果工作气体中氧分压超过一定的数值,Mg靶的表面也会迅速被氧化成MgO,沉积速率同样受到影响。氧分压是射频磁控溅射法制备MgO薄膜的一个关键的影响因素,氧分压如果不够高,会不会在MgO薄膜中产生大量的氧空位或锌填隙缺陷。哪位大神在这方面有经验还望给于指教,谢谢!
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2014-10-09 21:20:38
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wjwbetter
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专业: 半导体材料
【答案】应助回帖
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大雄MZ: 金币+10,
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很有帮助
2014-10-20 16:15:02
反应溅射的速度会跟直接用氧化镁靶材的速度差不多,说不定会更慢。氧分压可以稍微大一点,如果过量了,后面通过真空退火可以把过量的氧排出去
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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你只有相信它,你才能接近它。
2楼
2014-10-10 00:51:08
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大雄MZ
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2楼
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Originally posted by
wjwbetter
at 2014-10-10 00:51:08
反应溅射的速度会跟直接用氧化镁靶材的速度差不多,说不定会更慢。氧分压可以稍微大一点,如果过量了,后面通过真空退火可以把过量的氧排出去
谢谢,还想问一下制备MgO薄膜,应选择金属Mg靶还是MgO靶?
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3楼
2014-10-10 10:29:53
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wanghuaxing
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wjwbetter
at 2014-10-10 00:51:08
反应溅射的速度会跟直接用氧化镁靶材的速度差不多,说不定会更慢。氧分压可以稍微大一点,如果过量了,后面通过真空退火可以把过量的氧排出去
我不对制备的薄膜进行退火处理,请问为什么说比直接用氧化镁做靶材还要慢。
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5楼
2014-10-11 09:34:45
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chenman106
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Originally posted by
wanghuaxing
at 2014-10-10 21:32:00
选镁靶材就可以,我们这里之前做过
但用哪一种靶材,制备的MgO薄膜结晶质量会好一些,表面粗超度会小一些。
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6楼
2014-10-11 09:36:41
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氧化镁是陶瓷把,陶瓷吧比较容易开裂,而且一般溅射的时候都会有广义的“失氧”,所以用氧化镁还是得通氧气。
纯金属吧不会有开裂现象,但是在溅射过程中可能出现靶中毒。
综合来看氧化镁靶制备出来的膜化学计量比要比纯美靶的要好一点。
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7楼
2014-11-07 15:07:06
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专业: 半导体材料
楼主,您好。您说,有文献中提到因为MgO抗离子轰击能力较强,用MgO做靶材沉积速率会比较慢。文献能共享一下嘛?
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8楼
2016-06-18 14:54:28
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