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磁控溅射过程中，Ar气流速对镀膜有什么影响？ 已有7人参与
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最近实验，一直不知道Ar的流速到底应该怎么控制，是应该多还是应该少？ Ar流速高，真空腔内的Ar分子相对较多，在维持压强不变的情况下，靶材的分子就会相对偏少，不利于膜的形成 Ar流速低，虽然靶材的分子较多，但对起辉和电离影响大 不知道这样理解对不对？有没有相关文献讨论流速问题 求解答 |
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
huanyingmofa: 金币+1, ★★★很有帮助 2014-07-31 16:16:29
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huanyingmofa: 金币+1, ★★★很有帮助 2014-07-31 16:16:29
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这个是磁控溅射设备的，压力控制有关。 对于研发型的设备而言，分为上游压力控制 和 下游压力控制 上游压力控制：真空腔室压力恒定在3mTorr, 泵抽的速度不变，真空计的信号，反馈给质量流量计，控制氩气流量。始终使真空腔室的压力维持在3mTorr 上游压力控制：真空腔室压力恒定在3mTorr, 质量流量计的氩气流量不变，真空计的信号，反馈给真空泵的阀门，控制阀门的开关大小，始终使真空腔室的压力维持在3mTorr。 磁控溅射的均匀性和稳定性，就是真空腔室内维持动态的气氛平衡过程。 所以你改变氩气流量， 应该在这个前提下进行，才能说明压力的流量对镀膜的影响。 |
5楼2014-07-30 17:28:53
peterflyer 
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peterflyer
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