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huanyingmofa

铁虫 (初入文坛)

[求助] 磁控溅射过程中,Ar气流速对镀膜有什么影响?已有7人参与

最近实验,一直不知道Ar的流速到底应该怎么控制,是应该多还是应该少?
Ar流速高,真空腔内的Ar分子相对较多,在维持压强不变的情况下,靶材的分子就会相对偏少,不利于膜的形成
Ar流速低,虽然靶材的分子较多,但对起辉和电离影响大

不知道这样理解对不对?有没有相关文献讨论流速问题

求解答
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luobingwei

木虫 (著名写手)

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感谢参与,应助指数 +1
通过G阀调节是对的,气压主要是影响溅射出来的离子的散射程度,气压越高,散射强导致到达基底的量少,低散射低,沉积的厚!磁控溅射是200的设备,网上有其原理,还有清华大学田民波老师的书也有详细的介绍,可以参考一下
7楼2014-07-31 21:32:27
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


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huanyingmofa: 金币+1, ★★★很有帮助 2014-07-31 16:16:00
个人理解:氩气的流速对磁控溅射的影响主要体现在对溅射室压力的改变上。一般情况下是气体源头供气压力不变,若在溅射室里的流速增加,根据伯努利定律则会引起溅射室压力下降。再根据Paschen定律知道,这肯定会影响最小起弧电压值,从而影响溅射过程。
2楼2014-07-29 21:35:37
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


【答案】应助回帖


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huanyingmofa: 金币+1, ★★★很有帮助 2014-07-31 16:16:07
要研究Ar流量的影响, 就需要固定其它参数, 但是Ar流量的变化而气压不变,相当于抽气速率就改变了,导致了其它在腔室中的滞留时间变化,对成膜有影响。
3楼2014-07-29 23:26:55
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jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


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huanyingmofa: 金币+1, ★★★很有帮助 2014-07-31 16:16:14
Ar是帮助放电的,同时也在轰击靶,气流大,压强就大,这样轰出来的分子多,但是由于平均自由程减小,所以会导致成膜的效果不好,淀积速度慢。一般就是考虑平均自由程和淀积速度,这两个需要有一个折中。
哈哈哈哈,来吧
4楼2014-07-30 00:51:00
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