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磁控溅射过程中,Ar气流速对镀膜有什么影响?已有7人参与
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最近实验,一直不知道Ar的流速到底应该怎么控制,是应该多还是应该少? Ar流速高,真空腔内的Ar分子相对较多,在维持压强不变的情况下,靶材的分子就会相对偏少,不利于膜的形成 Ar流速低,虽然靶材的分子较多,但对起辉和电离影响大 不知道这样理解对不对?有没有相关文献讨论流速问题 求解答 |
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cord
铁杆木虫 (著名写手)
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3楼2014-07-29 23:26:55
peterflyer
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peterflyer
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2楼2014-07-29 21:35:37

4楼2014-07-30 00:51:00
【答案】应助回帖
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感谢参与,应助指数 +1
huanyingmofa: 金币+1, ★★★很有帮助 2014-07-31 16:16:29
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这个是磁控溅射设备的,压力控制有关。 对于研发型的设备而言,分为上游压力控制 和 下游压力控制 上游压力控制:真空腔室压力恒定在3mTorr, 泵抽的速度不变,真空计的信号,反馈给质量流量计,控制氩气流量。始终使真空腔室的压力维持在3mTorr 上游压力控制:真空腔室压力恒定在3mTorr, 质量流量计的氩气流量不变,真空计的信号,反馈给真空泵的阀门,控制阀门的开关大小,始终使真空腔室的压力维持在3mTorr。 磁控溅射的均匀性和稳定性,就是真空腔室内维持动态的气氛平衡过程。 所以你改变氩气流量, 应该在这个前提下进行,才能说明压力的流量对镀膜的影响。 |
5楼2014-07-30 17:28:53













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