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磁控溅射过程中,Ar气流速对镀膜有什么影响?
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huanyingmofa
铁虫
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专业: 半导体材料
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磁控溅射过程中,Ar气流速对镀膜有什么影响?
已有7人参与
最近实验,一直不知道Ar的流速到底应该怎么控制,是应该多还是应该少?
Ar流速高,真空腔内的Ar分子相对较多,在维持压强不变的情况下,靶材的分子就会相对偏少,不利于膜的形成
Ar流速低,虽然靶材的分子较多,但对起辉和电离影响大
不知道这样理解对不对?有没有相关文献讨论流速问题
求解答
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1楼
2014-07-29 16:18:31
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huanyingmofa
铁虫
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专业: 半导体材料
引用回帖:
9楼
:
Originally posted by
cz.87101
at 2014-08-03 11:38:17
Ar流量影响很小,流速设置主要看腔室大小
学校实验的小机台,六寸晶圆左右的20sccm足够了,基本不用变。
镀膜质量与Ar流速关系不大,流速大的时候,真空泵阀门就开的大,流速小的时候,阀门也相应的开的小,两 ...
所以,可以认为,压强是主要影响因素之一,而通气的流速并不影响。只要保证流速不是非常小,足够起辉就可以。
这样理解对吗
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10楼
2014-08-04 14:32:45
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peterflyer
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peterflyer
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2014-07-31 16:16:00
个人理解:氩气的流速对磁控溅射的影响主要体现在对溅射室压力的改变上。一般情况下是气体源头供气压力不变,若在溅射室里的流速增加,根据伯努利定律则会引起溅射室压力下降。再根据Paschen定律知道,这肯定会影响最小起弧电压值,从而影响溅射过程。
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2楼
2014-07-29 21:35:37
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cord
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2014-07-31 16:16:07
要研究Ar流量的影响, 就需要固定其它参数, 但是Ar流量的变化而气压不变,相当于抽气速率就改变了,导致了其它在腔室中的滞留时间变化,对成膜有影响。
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3楼
2014-07-29 23:26:55
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jeremyfrc
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2014-07-31 16:16:14
Ar是帮助放电的,同时也在轰击靶,气流大,压强就大,这样轰出来的分子多,但是由于平均自由程减小,所以会导致成膜的效果不好,淀积速度慢。一般就是考虑平均自由程和淀积速度,这两个需要有一个折中。
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哈哈哈哈,来吧
4楼
2014-07-30 00:51:00
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