缺陷能级计算方法（VASP）
如图分别为缺陷形成能和缺陷转变能级的计算公式：
缺陷转变能级的计算，文献中提到采用gamma point-only 和special kpoints混合的方法，如公式中标注的上标。
1.什么叫gamma point-only approach ？是单gamma点计算吗？是采用1*1*1的gamma点优化吗？
2.缺陷能级怎么算呢?
采用Monkhorst-Pack 的，是不是先要确定由缺陷引入的额外的能带，然后对应的在优化后的EIGENVAL文件中找到对应的能量本征值，然后在所有k点下求平均呢？其次就是怎么判断缺陷能级呢？是否要通过能带计算？ 如果不是的话，那应该怎么求呢？
3.gamma点下的缺陷能级怎么求？
衷心希望各位老师or同学赐教；实在是看不懂了~~~
谢谢
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京公网安备 11010802022153号
somebody come to help me
文献名是什么
overcome the doping bottleneck in semiconductors
现在有各种的修正方法和工具，以及进行高通量的计算工具了。半导体的点缺陷计算并不是那么难了。
对你的问题的回答：
1. 是的。如你所你理解的。
2.缺陷能级有两种说法的，一种是只看本征值。另一种是看transtion energy level，也就是计算不同charged states下的形成能，然后，通过形成能之差的公式计算出来，形成能的计算公式，有一部分是如你所列的。这个的计算，如我前面提到的。现在有很多成熟的辅助工具，考虑了针对带电体系的修正项的处理。前者是一个静态的过程。后者考虑了电子跃迁的所引起的晶格弛豫的贡献。
3.你提的这个大部分是看本征值，特别是价带顶附近、带隙里和导带底的本征值以及它的本征态（如果是缺陷能级的话，这些本征态的分布会比较局域于缺陷周围）。
老师您好！如图是我用单gamma点，扣掉一个原子进行优化后的EIGENVAL文件,。如图整个晶胞价电子数393 ， 1个k点，然后总共有244条能带，然后本征值也对应有244个，那么我想问的是这个文件怎么看呢？
是不是195对应的是VBM,196是缺陷能级，197对应的是CBM呢？
EIGENVAL.png
EIGENVAL+.png
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