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【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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zhou2623

新虫 (小有名气)

[求助] 缺陷能级计算方法(VASP)已有1人参与

如图分别为缺陷形成能和缺陷转变能级的计算公式:
缺陷转变能级的计算,文献中提到采用gamma point-only 和special kpoints混合的方法,如公式中标注的上标。
1.什么叫gamma point-only approach ?是单gamma点计算吗?是采用1*1*1的gamma点优化吗?
2.缺陷能级怎么算呢?
采用Monkhorst-Pack 的,是不是先要确定由缺陷引入的额外的能带,然后对应的在优化后的EIGENVAL文件中找到对应的能量本征值,然后在所有k点下求平均呢?其次就是怎么判断缺陷能级呢?是否要通过能带计算? 如果不是的话,那应该怎么求呢?
3.gamma点下的缺陷能级怎么求?

衷心希望各位老师or同学赐教;实在是看不懂了~~~
谢谢

缺陷能级计算方法(VASP)
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

现在有各种的修正方法和工具,以及进行高通量的计算工具了。半导体的点缺陷计算并不是那么难了。

对你的问题的回答:
1. 是的。如你所你理解的。
2.缺陷能级有两种说法的,一种是只看本征值。另一种是看transtion energy level,也就是计算不同charged states下的形成能,然后,通过形成能之差的公式计算出来,形成能的计算公式,有一部分是如你所列的。这个的计算,如我前面提到的。现在有很多成熟的辅助工具,考虑了针对带电体系的修正项的处理。前者是一个静态的过程。后者考虑了电子跃迁的所引起的晶格弛豫的贡献。
3.你提的这个大部分是看本征值,特别是价带顶附近、带隙里和导带底的本征值以及它的本征态(如果是缺陷能级的话,这些本征态的分布会比较局域于缺陷周围)。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

7楼2019-05-15 21:51:00
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zhou2623

新虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 易笔 at 2019-05-15 15:31:56
文献名是什么

overcome the doping bottleneck in semiconductors
6楼2019-05-15 19:54:36
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

引用回帖:
11楼: Originally posted by 易笔 at 2019-05-17 11:05:16
侯老师,您所说的辅助工具,能举几个例子吗?...

pylada-defects,  pycdt,  PyDEF等。你到github上搜索它们,以及computational materials science或computional physics communucation的期刊主页上找它们的文章介绍的文章。
14楼2019-05-17 12:43:22
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
zhou2623: 金币+20 2019-05-17 20:04:25
引用回帖:
15楼: Originally posted by zhou2623 at 2019-05-17 15:21:45
老师您好!请问这个2.3数值怎么理解呢,还有就是如果我参考对应的EIGENVAL,是以静态的为准吗

我理解的是既然197对应一个电子,可能是VBM也可能是对应的缺陷能级,但是198没有电子填充是不是可以断定是CB ...

我并没有说这个2.3eV是带隙。

你计算的这个缺陷体系是奇数个电子的,最高一个被占据的是197个本征值,它的占有数是单占据的,费米能级被确定在这个第197的本征值上。这个第197个本征值就是缺陷能级了,并且是出现在带隙中间的。第198个本征值是CBM(具体的值可能相对于完整晶格的CBM有点移动)。VBM可能是196或195或194都有可能,这取决于你计算的这个缺陷产生了1个或多个缺陷能级。如果你与完整晶格的计算Gamma点的本征值以及体系的电子数进行一下对比,就可以知道VBM大致是哪个本征值对应的。
17楼2019-05-17 18:34:07
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普通回帖

zhou2623

新虫 (小有名气)

2楼2019-05-10 15:59:48
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zhou2623

新虫 (小有名气)

somebody come  to help me
3楼2019-05-10 16:02:48
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易笔

新虫 (小有名气)

文献名是什么
4楼2019-05-15 15:31:56
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Wq一路向北

禁虫 (正式写手)

本帖内容被屏蔽

5楼2019-05-15 15:43:53
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zhou2623

新虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
7楼: Originally posted by valenhou001 at 2019-05-15 21:51:00
现在有各种的修正方法和工具,以及进行高通量的计算工具了。半导体的点缺陷计算并不是那么难了。

对你的问题的回答:
1. 是的。如你所你理解的。
2.缺陷能级有两种说法的,一种是只看本征值。另一种是看transt ...

老师您好!如图是我用单gamma点,扣掉一个原子进行优化后的EIGENVAL文件,。如图整个晶胞价电子数393 , 1个k点,然后总共有244条能带,然后本征值也对应有244个,那么我想问的是这个文件怎么看呢?
是不是195对应的是VBM,196是缺陷能级,197对应的是CBM呢?
缺陷能级计算方法(VASP)-1
EIGENVAL.png


缺陷能级计算方法(VASP)-2
EIGENVAL+.png

8楼2019-05-16 09:20:49
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zhou2623

新虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by zhou2623 at 2019-05-16 09:20:49
老师您好!如图是我用单gamma点,扣掉一个原子进行优化后的EIGENVAL文件,。如图整个晶胞价电子数393 , 1个k点,然后总共有244条能带,然后本征值也对应有244个,那么我想问的是这个文件怎么看呢?
是不是195对应 ...

看错了,是不是196 197 198 分别对应的VBM 、defect level、 CBM
9楼2019-05-16 09:22:19
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
9楼: Originally posted by zhou2623 at 2019-05-16 10:22:19
看错了,是不是196 197 198 分别对应的VBM 、defect level、 CBM...

这个是含缺陷体系的本征值,还需要与未含缺陷的perfect晶体的本征值有个对比,以及知道你这个体系的计算输出的Fermi level值是多少。如果完整体系(不含缺陷的体系)的带隙是要大于2.3 eV的话,那第197个本征值对应的可能是缺陷能级。
10楼2019-05-16 23:20:25
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