半导体MIS结构中的强反型条件是表面少子浓度与体内多子浓度相等
我不明白的是
1、在这个条件下，通过增大栅压，可继续增大表面少子浓度，但为什么少子只会堆积在反型层中？
2、MS结构中，也有反型层，但失去了绝缘层后，候强反型是否还会使耗尽层电势不再增大？ 返回小木虫查看更多