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tangtianyu

银虫 (小有名气)

[求助] 在先驱体溶液法制备IGZO TFT 时，测试结果漏电流偏大已有2人参与

本人在使用先驱体溶液法制备IGZO 薄膜晶体管时，旋涂在300nm硅片上300℃回火30min，然后蒸镀电极，结果测试出Gate极漏电流很大，几乎到SD之间的电流的1/10,如图所示 请问有同行知道什么原因会影响这个吗？

本人实验用参考文献
Kim et al. - 2011 - Low-temperature fabrication of high-performance metal oxide thin-film electronics via combustion processing

在先驱体溶液法制备IGZO TFT 时，测试结果漏电流偏大
L300X3.0.2.png
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1楼2018-08-30 00:08:39
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风在云在

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

单独测一下SiO2介电层的漏电流，有可能是SiO2的问题
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2楼2018-09-10 10:00:08
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babangida

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

这是什么测试软件？
问题很好解决，氧化硅质量不好，可以采取以下方法：
1. 表面旋涂一薄层pmma，ps，ots等等的可以有效减少表面缺陷
2. 减小源漏极面积，尽可能小，我一般用0.5×0.5 mm方块
3. 减小测量电压，我看你测到100V了，再好的氧化层也够呛
4. 换家厂家买硅片，一分价钱一分货，比如100多块一片的4英寸硅片大多湿法氧化，薄膜致密性普遍不好
5. 有条件自己用PECVD或ALD长氧化层
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3楼2018-09-12 20:07:35
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babangida

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by babangida at 2018-09-12 20:07:35
这是什么测试软件？
问题很好解决，氧化硅质量不好，可以采取以下方法：
1. 表面旋涂一薄层pmma，ps，ots等等的可以有效减少表面缺陷
2. 减小源漏极面积，尽可能小，我一般用0.5×0.5 mm方块
3. 减小测量电压， ...

还有种方法是光刻栅极，自己控制大小比沟道大一点就行，和源漏极尽量少重叠
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4楼2018-09-14 10:03:22
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夏虫语冰CC

新虫 (小有名气)
PECVD长的氧化硅质量不好额

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5楼2019-04-04 08:34:07
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Z780283717

新虫 (小有名气)
同遇这个问题  跪求楼主解答

发自小木虫Android客户端
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6楼2024-03-01 12:39:06
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