[半导体物理]非平衡载流子在外加电场下的浓度和电势分布
一个非常薄的均匀掺杂n型半导体样品,通过窗口有稳定光照在半导体上。
(1)定性画出少子浓度沿x方向的分布(标出平衡少子浓度);
(2)定性画出整个样品沿x方向的电势分布。
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一个非常薄的均匀掺杂n型半导体样品,通过窗口有稳定光照在半导体上。
(1)定性画出少子浓度沿x方向的分布(标出平衡少子浓度);
(2)定性画出整个样品沿x方向的电势分布。
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首先,什么半导体,Si,Ge, 还是GaAs? 其次,掺杂浓度是多少?最后,光的波长(能量)是多少,与半导体带隙相比如何?
(1)半导体是Si;
(2)掺杂浓度没有给出,题又不是我出的,我觉得就不用考虑高掺杂的问题了;
(3)“标出平衡少子浓度”不能定性画出么?我又没问什么叫“定性”什么叫“定量”,这不用你教我,谢谢;
(4)我问的就是怎么求解,你让我翻书?那别人还问什么问题,都去翻书得了?你不想回答没人逼你,你要回答的话请你认真一点
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