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[半导体物理]非平衡载流子在外加电场下的浓度和电势分布

作者 MCStuard
来源: 小木虫 150 3 举报帖子
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一个非常薄的均匀掺杂n型半导体样品,通过窗口有稳定光照在半导体上。

(1)定性画出少子浓度沿x方向的分布(标出平衡少子浓度);

(2)定性画出整个样品沿x方向的电势分布。

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  • 精华评论
  • aliure

    首先,什么半导体,Si,Ge,  还是GaAs? 其次,掺杂浓度是多少?最后,光的波长(能量)是多少,与半导体带隙相比如何?

  • MCStuard

    引用回帖:
    3楼: Originally posted by aliure at 2018-05-15 18:26:14
    首先,请先搞清以上三个问题。其次,如果“标出少子浓度”,叫“定量”,不叫“定性”。最后,请去翻一本半导体物理的书籍,自己给条件,自己求方程,自己画。
    ...

    (1)半导体是Si;
    (2)掺杂浓度没有给出,题又不是我出的,我觉得就不用考虑高掺杂的问题了;
    (3)“标出平衡少子浓度”不能定性画出么?我又没问什么叫“定性”什么叫“定量”,这不用你教我,谢谢;
    (4)我问的就是怎么求解,你让我翻书?那别人还问什么问题,都去翻书得了?你不想回答没人逼你,你要回答的话请你认真一点

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