掺杂求高手指点:vasp 不同掺杂浓度模型设置。
如题,例如自己的初始结构AB是体心立方结构,体心为A,八个角上为B。扩展成supercell 得到16个原子模型。现要用不同浓度的C替换A,问题来了:
1. 如果用3个C代替3个A,3个C的位置在8个A原子的位置中有不同的取法,如何确定该如何替换?
自己的初步想法:如果把每种替换位置都算一遍,小体系是可行的,但supercell过大的时候就傻眼了,因为替换位置的组合太多了;考虑掺杂浓度,supercell必定非常大,所以每种替换位置都计算一遍不实际。自己的做法是建立一个大supercell, 比如64个原子,然后以不同浓度的C去代替A,取带位置自己的想法是让两个C尽量远离一点(这个方法纯粹自己瞎想出来的,没有任何理论支持,求高手指点)。
2. 什么结构最稳定之判据。
如果用3个C代替3个A,3个C的位置在8个A原子的位置中有不同的取法,如何判断哪个结构最稳定?或者说自己该取哪个结构进行下一步计算。
能量?受力?声子谱?或其他?
自己的初步想法:能量是不可能的,自己尝试计算过,对于不同的掺杂位置,结构优化(ISIF=3)的结果能量是有差别,但没有可比性,因为不同替换位置优化的结果晶体的对称性会有的会出现不同(比如其中一个替换形式,优化后,体系不再是立方,而是斜方)。郁闷,不知道如何办了。
有一种可能的方法是在vasp优化的过程中,逐渐改变ISIF(小木虫的以前帖子有提到过),达到不同替换位置结构,收敛后的对称性都一样,再来比较能量,再取能量最低的进行下一步计算,这样行吗?
更郁闷的问题出来了:如果按照上面的方法来找能量最低的构型,还会涉及到AB原子的站位问题,因为我们只考虑的C原子替换A原子,但A B 原子的不同站位同样会影响体系总体能量,如何处理?
谢谢。
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试过用SQS模型么,ATAT软件包内置有这个程序
什么意思?你说的东西我听不懂,
先搜搜
,
谢谢,查到一些感性的东西。
对的,用SQS,3/8 = 0.375
BCC 应该比较容易生成。
不知道你想算什么性能? bandgap的话,应该没问题。
同求。。。LZ我也有这个问题!!!替位掺杂位置的选择。。
同问:替换掺杂会有不同的掺杂组合,如何确定该如何替换?
楼主请教一下,你在问题送说到“考虑掺杂浓度,supercell必定非常大”,能解释一下为什么计算浓度就必须选择比较大的超胞吗?是因为要求浓度较低吗?还是别的原因?