TEM制备横截面样品的技术交流！！！
为什么制备的TEM横截面样品在薄区上会覆盖一层非晶层？？？？并且所得薄区不是很均匀，我的样品是Si衬底GaN基LED。样品都是用离子减薄获得！
望TEM样品制备高手指点指点，小弟在此感激不尽。。
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你用是占在铜环上么？那个颗粒状的似乎是沉积。最外层的非晶可能是离子束减薄过程中产生的，离子束减薄对样品有损伤，你可以调低电压试一试。
凹坑完以后就粘在Cu环上，但薄区均匀性不是很好。。。
製作薄膜橫截面TEM樣品，通常會使用G1膠將兩片試片膜對膜對黏，G1膠屬於非晶結構。若確定不是G1膠的話，則是以下，離子減薄確�?會使結晶材料非晶化，就是結晶材料被打爛的意思。我遇到的此種狀況通常是打薄時間太久，解決方法有二:1.多在研磨機上多磨幾下，確定邊緣是磨掉?K不是斷掉。2.檢查離子打薄機的校正。
有一些不明顆粒沉積在薄膜上(感覺髒髒的)，確�?是金屬環材料被沉積在試片上，但是你是製作橫截面試片應該要用一上一下的離子束進行打薄，不太會有此問題，當然如果離子束入射角度太低就變成在sputtering金屬環材料了，而你的試片相對就變基材。以上個人�?驗經驗供你參考。
非常感觉虫友的宝贵经验！！我们对粘所用材料是他们gatan公司自带的G1胶，但测出非晶材料的成分主要是基体材料Si，而不是G1胶或外延层成分，会不会有扩散可能？？？我们所制式样在研磨机上一般都磨至30微米左右。此外，在制样过程中，离子减薄角度最低只用4°，应该不会sputtering金屬環材料吧。。亲，你们用离子减薄过程中一般要溅射多长时间啊？？？还有你们用dimple凹坑，一般凹至多少微米�
，
楼主，可否请教你的截面样品制作方法呀？我老是做不好，在磨的过程中就断裂开来，不然就是减薄的时候把中间的胶给打穿，减不到薄膜