4-5nm做多  如果需要深的话 可利用溅射技术剥层

几个纳米，不过辅以氩离子刻蚀就可以做深度剖析了。

受制于电子逃逸深度，一般只有2纳米左右

引用回帖:

4楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2012-03-23 11:31:28:
受制于电子逃逸深度，一般只有2纳米左右

有相关的文献吗？

引用回帖:

5楼: Originally posted by guwei2892091 at 2012-03-23 20:56:31:
有相关的文献吗？

Surface Analysis –The Principal Techniques 2nd Edition去网上搜电子版的。XPS检测逃逸出表面的电子，逃逸过程中不能有太大的能量损失，没有损失的这段距离叫IMFP电子平均自由程，和X光能量有一个关系，镁靶和铝靶的X光能量在1000多eV，对应的IMFP大约2纳米左右（大概值，跟很多因素有关系），UPS的能量在几十eV，IMFP更低，所以UPS更surface sensitive一些
，

http://www.chem.qmul.ac.uk/surfaces/scc/scat5_1.htm或者看看这个链接